1.一种垂直结构LED芯片，其特征在于，从下往上依次包括衬底层、粘结层、键合层、保护层、反射层、p‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、n‑GaN层、钝化层和N电极；其中，反射层包括金属反射层和绝缘反射层，金属反射层的底面与保护层的上面连接，绝缘反射层设置在金属反射层的两端且与保护层连接；所述金属反射层为Ag、Ti和Ni中的一种，所述绝缘反射层为SiO2、Si3N4、TiO2、Ti3O5中的一种。

2.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述粘结层为Cr、Ti、Ni、Al、Pt和Au中的一种，粘结层的总厚度为10nm～1000nm。

3.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述绝缘反射层的层数为15～

45层，绝缘反射层的总厚度为0.5～4um。

4.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述衬底层的材料为硅或碳化硅。

5.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述键合层为AuSn、NiSn、CuSn和AuSi中的一种，键合层的总厚度为1000～9000nm。

6.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述N电极的金属为Ti、Cr、Ni、Al、Pt和Au中的一种，N电极的总厚度为500nm～5000nm。