1.一种带应力驰豫的DBC陶瓷基板，其特征在于，包括直接键合铜基板、多壁碳纳米管和铜膜(4)，所述直接键合铜基板包括铜条(2)和陶瓷板(1)，所述铜条(2)固定在所述陶瓷板(1)上，所述铜条(2)表面设有多个孔洞，所述孔洞包括亚微米孔洞和/或纳米孔洞，所述多壁碳纳米管印刷在所述铜条(2)表面上，形成多壁碳纳米管层(3)，所述多壁碳纳米管层(3)与所述铜条(2)的结合强度大于或等于30Mpa；所述铜膜(4)镀在所述多壁碳纳米管层(3)上；

所述多壁碳纳米管层(3)在垂直于所述陶瓷板(1)表面方向上的热导率大于或等于

800W/(m·K)，在平行于所述陶瓷板(1)表面方向上的电导率大于或等于10S/cm。

2.根据权利要求1所述的带应力驰豫的DBC陶瓷基板，其特征在于，所述多壁碳纳米管层(3)与所述铜条(2)的结合体在垂直于所述陶瓷板(1)表面方向的整体热导率大于或等于5

350W/(m·K)，在平行于所述陶瓷板(1)表面方向上的电导率大于或等于5.98×10S/cm。

3.根据权利要求1所述的带应力驰豫的DBC陶瓷基板，其特征在于，所述铜膜(4)的厚度范围为20μm‑30μm，所述铜膜(4)与所述多壁碳纳米管层(3)的结合强度大于或等于45MPa。

4.根据权利要求1所述的带应力驰豫的DBC陶瓷基板，其特征在于，所述孔洞为蜂窝状结构。

5.一种带应力驰豫的热电器件，其特征在于，包括如权利要求1‑4任一项所述的带应力驰豫的DBC陶瓷基板。

6.一种带应力驰豫的DBC陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将直接键合铜基板置于有机酸溶液中进行微蚀，以形成亚微米孔洞和/或纳米孔洞；

S2、将所述直接键合铜基板清洗干燥后再进行T处理工艺，使得所述直接键合铜基板的铜条上进一步形成纳米孔洞；

S3、将多壁碳纳米管溶胶通过丝网印刷到所述直接键合铜基板的铜条上，经自然时效固化，在所述铜条上形成多壁碳纳米管层；

S4、将S3中含有多壁碳纳米管层的直接键合铜基板置于键合炉中进行键合处理，以强化所述多壁碳纳米管层与所述铜条之间的结合力；

S5、将S4中经过键合处理的直接键合铜基板与金属掩膜板对应覆盖，并置于电子束蒸发系统中进行蒸发镀膜，在所述多壁碳纳米管层表面沉积一层铜膜。

7.根据权利要求6所述的带应力驰豫的DBC陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述多壁碳纳米管溶胶通过用导电碳胶调制，所述有机酸溶液的PH值大于或等于5.0。

8.根据权利要求6所述的带应力驰豫的DBC陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述键合处理在真空等温等压的环境下进行。