1.一种GaN HEMT器件应用于高频电路中的俘获效应消除方法，包括功率电路和反馈环节，其特征在于，所述功率电路和反馈环节之间连接有时序驱动控制环节和GaN HEMT器件，所述时序驱动控制环节包括开通控制装置和关断分频控制装置；

上述俘获效应消除方法，其特征在于，包括如下步骤，步骤一：将GaN HEMT器件的一个工作周期划分成2个部分，第1部分是开通阶段，第2部分是关断分频阶段；

步骤二：设置开通时间Ton_c和关断分频阶段的占空比Do，将单次关断时间控制在0.1‑

5ns之间，通过调节关断分频阶段的PWM周期个数来实现输出；

步骤三：根据输入输出情况以及变压器匝比，计算整体占空比D，并设计器件所需的导通时间Ton和工作周期T，分频阶段占空比设定为Do为0.5，导通阶段时间为Ton_c，则有导通时间Ton= Ton_c+(T‑ Ton_c)*0.5=0.5*(T+ Ton_c)=DT，确定GaN HEMT器件所需的导通时间Ton和工作周期T。

2.根据权利要求1所述的一种GaN HEMT器件应用于高频电路中的俘获效应消除方法，其特征在于：所述开通控制装置和关断分频控制装置在时序上进行同步处理，导通阶段完成后跟着就进入关断分频阶段。

3. 根据权利要求1所述的一种GaN HEMT器件应用于高频电路中的俘获效应消除方法，其特征在于：所述步骤二中关断分频阶段的占空比Do能够从30%‑100%中任意设定，且单次关断时间小于GaN HEMT器件中自由电子的俘获时间常数。

4. 根据权利要求1所述的一种GaN HEMT器件应用于高频电路中的俘获效应消除方法，其特征在于：所述时序驱动控制环节还能够包括开通控制装置、关断分频控制装置和关断控制装置。

5. 根据权利要求4所述的一种GaN HEMT器件应用于高频电路中的俘获效应消除方法，其特征在于：所述俘获效应消除方法，其特征在于，包括如下步骤，步骤一：将GaN HEMT器件的一个工作周期划分成3个部分，第1部分是开通阶段，第2部分是关断分频阶段，第3部分是可选的关断阶段；

步骤二：设置开通时间Ton_c、关断时间Toff_c和关断分频阶段的占空比Do，将单次关断时间控制在0.1‑5ns之间，通过调节关断分频阶段的PWM周期个数来实现输出；

步骤三：根据输入输出情况以及变压器匝比，计算整体占空比D，并设计器件所需的导通时间Ton和工作周期T，分频阶段占空比设定为Do为0.5，导通阶段时间为Ton_c，关断阶段时间为Toff_c，则有导通时间Ton= Ton_c+(T‑ Ton_c‑Toff_c)*0.5=0.5*(T+ Ton_c‑Toff_c)=DT，确定GaN HEMT器件所需的导通时间Ton和工作周期T。

6. 根据权利要求5所述的一种GaN HEMT器件应用于高频电路中的俘获效应消除方法，其特征在于：所述开通控制装置、关断分频控制装置和关断控制装置在时序上进行同步处理，导通阶段完成后跟着就进入关断分频阶段，关断分频阶段成后跟着就进入关断阶段。

7. 根据权利要求5所述的一种GaN HEMT器件应用于高频电路中的俘获效应消除方法，其特征在于：所述步骤二中关断分频阶段的占空比Do能够从30%‑100%中任意设定，且单次关断时间小于GaN HEMT器件中自由电子的俘获时间常数。