1.一种高线性度GaN HEMT射频功率放大器电路，其特征在于，该电路集成于一体，设置多个GaN HEMT管芯，每个GaN HEMT管芯的漏极连接在一起作为输出端，每个GaN HEMT管芯的栅极连接在一起作为输入端，每个GaN HEMT管芯的源极接地，其中，输出端并接谐振网络，每个GaN HEMT管芯栅极均并接第一电感L1和第二电感L2的一端，第一电感L1和第二电感L2的另一端接地；

所述谐振网络包括第一电容C1和第三电感L3，其中，第一电容C1的一端与输出端相连接，第一电容C1的另一端与第三电感L3的一端相连接，第三电感L3的另一端接地；

GaN HEMT管芯包括依次设置的衬底层、缓冲层、沟道层、阻挡层、保护层，在保护层的上方设置源极、栅极和漏极；其中，所述保护层形成L形槽，所述源极设置在L形槽的顶部使源极端口和栅极端口在水平空间上相互错开。

2.根据权利要求1所述的高线性度GaN HEMT射频功率放大器电路，其特征在于，漏极端口顶部与栅极端口顶部齐平，源极端口底部与栅极端口顶部齐平。