1.一种量子点异质结日盲紫外探测芯片，其特征在于，自下至上依次为基底、底栅电极、栅绝缘层、p型半导体层、本征层和n型半导体层，所述p型半导体层上设置有源电极，所述n型半导体层上设置有漏电极，所述本征层为宽禁带半导体量子点本征层，所述p型半导体层、本征层和n型半导体层构成p-i-n异质结场效应沟道。

2.根据权利要求1所述的量子点异质结日盲紫外探测芯片，其特征在于，所述基底和底栅电极为P+硅片。

3.根据权利要求1所述的量子点异质结日盲紫外探测芯片，其特征在于，所述宽禁带半导体量子点本征层为宽禁带宽度为不少于4.0eV的超宽禁带半导体。

4.根据权利要求1所述的量子点异质结日盲紫外探测芯片，其特征在于，所述超宽禁带半导体为ZnS或GaOX。

5.根据权利要求1所述的量子点异质结日盲紫外探测芯片，其特征在于，所述漏电极为Au、Pt或C电极，功函数＞4.8eV，所述源电极层为Ag、Al、Cu、Ni或Ti电极，功函数＜4.8eV。

6.根据权利要求1所说的量子点异质结日盲紫外探测芯片，其特征在于，所述绝缘层为

4-乙烯基苯酚、SiO2或CaF2。

7.一种权利要求1所述的量子点异质结日盲紫外探测芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)对基底进行预处理，并通过热蒸发、磁控溅射或打印工艺在基底上制备底栅电极；

(2)在底栅电极上利用磁控溅射法或喷墨打印法沉积栅绝缘层；

(3)将p型半导体前驱液或量子点悬浮液，通过旋涂、点胶、或喷墨打印的方式制备在栅绝缘层上，烘干即制得p型半导体层；

(4)在p型半导体层上使用掩膜通过热蒸发、磁控溅射方法或者喷墨打印制备源电极；

(5)将宽禁带半导体量子点本征层通过滴涂、旋涂、或喷墨打印的方式制备在p型半导体层上，烘干即制得本征层；

(6)将n型碳量子点悬浮液，通过旋涂、或喷墨打印的方式制备在本征层上，制备n型半导体层；

(7)在n型半导体层上沉积或者喷墨打印漏电极，完成表面钝化，即得量子点异质结日盲紫外探测芯片。

8.根据权利要求7所述的量子点异质结日盲紫外探测芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的底栅电极为Au或Ag金属底栅电极。

9.根据权利要求7所述的量子点异质结日盲紫外探测芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的底栅电极为P+硅片，同时P+硅片作为基底。

10.根据权利要求7所述的量子点异质结日盲紫外探测芯片的制备方法，其特征在于，所述基底为玻璃、石英或PET基底。