1.一种CeO2掺杂Cu/Mn复合膜/微晶界面层与金属基复合连接体，其特征在于，基体微晶界面层、Cu（CeO2）和Mn复合涂层依次覆盖在沉积基体材料表面，所述沉积基体材料为铁素体不锈钢；Cu（CeO2）和Mn复合涂层，两者厚度之和不大于20 um，且Cu（CeO2）层与Mn层的厚度比在1:1和1:2之间；Cu（CeO2）层是在Cu镀层内添加纳米级CeO2，以达到细化镀层晶粒的目的。

2.根据权利要1所述的一种CeO2掺杂Cu/Mn复合膜/微晶界面层与金属基复合连接体，其特征在于，其中微晶界面层的材料是对应的基体材料，是在基体材料表面通过高能微弧合金化技术沉积一层相同材料的冶金结合微晶界面层。

3.根据权利要1所述的一种CeO2掺杂Cu/Mn复合膜/微晶界面层与金属基复合连接体，其特征在于，微晶界面层厚度为10 50μm。

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4.一种CeO2掺杂Cu/Mn复合膜/微晶界面层与金属基复合连接体的制备方法，其特征在于，包括以下五个步骤：

步骤一，金属基材表面预处理：将金属基材经打磨、清洗、晾干后，密封保存；

步骤二，在基体铁素体不锈钢表面，通过高能微弧合金化技术，沉积与基体材料相同冶金结合微晶界面层，调整参数保持界面层的平整均匀；步骤三，分别配制冲击Ni，Cu和Mn的电解质溶液，施加冲击Ni增加镀层与基体之间的结合力，同时在沉积Cu的电解质溶液中加入0.01~0.08 mol/l的纳米级CeO2粉末，通过超声波或磁力搅拌器将沉积溶液搅拌均匀；步骤四，通过直流电源，先沉积一层冲击镍，其后采用电化学分层沉积技术分别将含有CeO2的Cu层以及金属Mn层先后沉积在已通过高能微弧合金化技术沉积细化晶粒过渡层的试样上，调整试验参数使得Cu/Mn镀层厚度比为1:1和1:2之间；

步骤五，最后进行高温热处理，以得到超薄的Cr界面氧化物结合CuMnCe基的高温耐蚀导电层/金属基的连接体，热处理气氛为氧化性气氛，热处理温度为700℃ 900℃， 热处理~

时间为20h 500h。

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5.根据权利要求4所述一种CeO2掺杂Cu/Mn复合膜/微晶界面层与金属基复合连接体的2

制备方法，其特征在于，所述步骤四中，沉积镍的电流密度为40‑60 mA/cm ，沉积时间为1‑2

2min；含有CeO2的Cu层的沉积参数为：沉积的电流密度为50~200mA/cm ；Mn层的沉积参数为：2

沉积的电流密度为100 300mA/cm ；整个沉积过程持续通过磁力搅拌器搅拌，搅拌速度为~

650 700rpm，并且温度控制在40℃。

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6.根据权利要求4所述一种CeO2掺杂Cu/Mn复合膜/微晶界面层与金属基复合连接体的制备方法，其特征在于，步骤三中，冲击镍溶液为 NiCl2和HCl，沉积Cu电解质溶液为CuSO4·

5H2O和H3BO3，并添加0.01~0.08 mol/l的CeO2；沉积Mn的电解质溶液为 (NH4)2SO4和MnSO4·H2O配制，在沉积Mn时不添加CeO2。

7.根据权利要求4所述一种CeO2掺杂Cu/Mn复合膜/微晶界面层与金属基复合连接体的制备方法，其特征在于，步骤二中，所用高能微弧合金化设备，最大输出功率为2000W，使用的电极棒是用基体铁素体不锈钢制备的直径为2‑3mm棒材，沉积界面层时电压范围在180~

220V。