1.一种衰减相移掩模版的制程方法，其特征在于，所述制程方法包括：提供透明基板，其中所述透明基板包括相对设置的第一表面及第二表面；

在所述透明基板的第一表面上形成遮光膜层，并在所述遮光膜层上蚀刻出用于表示目标掩模图案的图案沟槽，得到待处理掩模结构，其中所述遮光膜层采用铬金属制成；

在所述待处理掩模结构的与所述第二表面相背离的表面上沉积生长相移层；

对生长出的所述相移层进行蚀刻，使残留的所述相移层仅附着在图案沟槽的槽壁上，得到所述衰减相移掩模版，其中所述相移层由钼硅化合物经原子层沉积形成，残留的所述相移层在平行于第一表面的平面上的投影厚度保持一致，并保证残留的所述相移层在垂直于第一表面的平面上的投影高度保持一致且小于或等于所述遮光膜层的膜层厚度。

2.根据权利要求1所述的制程方法，其特征在于，所述在所述遮光膜层上蚀刻出用于表示目标掩模图案的图案沟槽，得到待处理掩模结构，包括：在所述遮光膜层的与所述第一表面相背离的表面上旋涂光刻胶层；

按照所述目标掩模图案对所述光刻胶层进行曝光显影，以在所述光刻胶层上形成与所述目标掩模图案对应的待转移图形；

以具有所述待转移图形的所述光刻胶层为掩模，通过蚀刻将所述待转移图形转移到所述遮光膜层上，形成与所述透明基板连通的所述图案沟槽；

对所述光刻胶层进行清洗，得到所述待处理掩模结构。

3.根据权利要求1‑2中任意一项所述的制程方法，其特征在于，所述相移层的沉积厚度处于10nm～50nm的范围内。

4.一种衰减相移掩模版，其特征在于，所述衰减相移掩模版包括透明基板及遮光膜层；

所述遮光膜层设置在所述透明基板的一侧表面上，所述遮光膜层上开设有用于表示目标掩模图案的图案沟槽，其中所述遮光膜层采用铬金属制成；

所述图案沟槽的槽壁上附着有相移层，其中所述相移层的材质为钼硅化合物，所述相移层在平行于所述图案沟槽的槽底的平面上的投影厚度保持一致，并保证所述相移层在垂直于所述图案沟槽的槽底的平面上的投影高度保持一致且小于或等于所述遮光膜层的膜层厚度。

5.根据权利要求4所述的衰减相移掩模版，其特征在于，所述相移层在与所述图案沟槽的槽底平行的平面上的投影厚度处于10nm～50nm的范围内。