1.硫化物纳米晶的优化方法，所述硫化物纳米晶为层状纳米晶，其特征在于，所述优化方法是通过对硫化物纳米晶进行可控磷化，具体包括以下步骤：S1：取干燥的硫化物纳米晶并以十二胺溶液溶解硫化物纳米晶；

S2：将硫化物纳米晶升温至230±5℃，加入磷化剂，保温，得到含有优化后的硫化物纳米晶的溶液；

Sn‑S‑Co层状纳米晶是通过以下步骤制备得到的：A1：将硫脲、SnCl2•2H2O、CoCl2•6H2O溶于H2O中；

A2：油浴升温到120 ℃；

A3：保温反应至有晶膜出现；

A4：取晶膜烘干，得到Sn‑S‑Co层状纳米晶；

所述磷化剂为三正辛基膦；所述磷化剂的添加量为3‑10mL。

2.根据权利要求1所述的硫化物纳米晶的优化方法，其特征在于，还包括S3，经分散、沉降、分离得到优化后的硫化物纳米晶产物。

3.根据权利要求2所述的硫化物纳米晶的优化方法，其特征在于，还包括有S4：真空干燥，得到干燥的硫化物纳米晶产物。

4.根据权利要求1所述的硫化物纳米晶的优化方法，其特征在于，在步骤S1中，先对硫化物纳米晶进行低温烘干后，再溶解。

5.根据权利要求4所述的硫化物纳米晶的优化方法，其特征在于，所述低温烘干是在50±2℃以下进行烘干。

6.根据权利要求1所述的硫化物纳米晶的优化方法，其特征在于，步骤S2中将硫化物纳米晶在沙浴中升温。

7.根据权利要求1所述的硫化物纳米晶的优化方法，其特征在于，步骤S2中匀速升温至

230±5℃，升温速率为5℃•min‑1。

8.根据权利要求1所述的硫化物纳米晶的优化方法，其特征在于，在步骤S2中保温时间为30分钟。

9.根据权利要求1所述的硫化物纳米晶的优化方法，其特征在于，磷化剂的添加量为

5mL。

10.根据权利要求2所述的硫化物纳米晶的优化方法，其特征在于，所述步骤S3中沉降采用正庚烷和无水乙醇的混合溶液，正庚烷与无水乙醇的混合摩尔比为3:1。

11.根据权利要求1所述的硫化物纳米晶的优化方法，其特征在于，CS(NH2)2，SnCl2•

2H2O，CoCl2•6H2O的摩尔比为5：0.75：0.25。

12.根据权利要求4所述的硫化物纳米晶的优化方法，其特征在于，Sn‑S‑Co层状纳米晶制备中所述烘干为低温烘干，所述低温烘干是在50±2°C以下进行烘干。