1.一种具有漏端肖特基接触的超结MOSFET，其半元胞包括漏极结构、耐压层结构、源极结构和栅极结构，其中耐压层结构位于漏极结构之上，源极结构和栅极结构位于耐压层结构之上；

所述漏极结构包括漏极金属(1)以及N+漏区(2)；所述N+漏区(2)位于漏极金属(1)一侧的上表面；所述漏极金属(1)引出端为漏极；

所述耐压层结构包括并列设置的N型漂移区(4)及P型漂移区(3)，N型漂移区(4)与P型漂移区(3)构成超结结构；所述P型漂移区(3)位于N+漏区(2)上表面，N型漂移区(4)位于漏极金属(1)上表面，N型漂移区(4)与N+漏区(2)的侧面接触；

所述源极结构包括P型阱区(5)、N+源区(6)、P+短路区(7)和源极金属(8)；所述P型阱区(5)位于P型漂移区(3)上表面，且P型阱区(5)沿器件横向方向延伸入N型漂移区(4)上层，N+源区(6)和P+短路区(7)并列设置于P型阱区(5)上层，且N+源区(6)位于靠近N型漂移区(4)的一侧；源极金属(8)位于P+短路区(7)和部分N+源区(6)上表面，源极金属(10)引出端为源极；

所述栅极结构为平面栅，所述平面栅由绝缘介质(9)和位于绝缘介质(9)之上的导电材料(10)构成；所述绝缘介质(9)位于N型漂移区(4)、P型阱区(5)和部分N+源区(6)上表面；导电材料(10)的引出端为栅极；

所述源极金属(1)与N型漂移区(4)形成肖特基接触。