1.一种改善反向恢复特性的超结MOSFET，其元胞包括漏极结构、耐压层结构、源极结构和栅极结构，其中耐压层结构位于漏极结构之上，源极结构和栅极结构位于耐压层结构之上；

所述漏极结构包括漏极金属(1)以及第一N+漏区(2)，所述第一N+漏区(2)的上表面与耐压层接触；所述漏极金属(1)上表面与第一N+漏区(2)下表面接触；所述漏极金属(1)引出端为漏极；

所述耐压层结构包括N型漂移区(5)、P型漂移区(3)以及第一绝缘介质(4)，所述N型漂移区(5)和P型漂移区(3)并列设置于第一N+漏区(2)上表面，N型漂移区(5)和P型漂移区(3)通过第一绝缘介质(4)隔离；

所述源极结构包括第一P型阱区(7)、第一N+源区(13)、第二P型阱区(6)、P+体接触区(12)、源极金属(15)和第一浮空金属(14)；所述第一P型阱区(7)位于N型漂移区(5)的上表面，所述第二P型阱区(6)位于P型漂移区(3)的上表面，第一P型阱区(7)和第二P型阱区(6)之间通过第一绝缘介质(4)隔离；在第一P型阱区(7)上层远离第二P型阱区(6)的一侧具有第一N+源区(13)；在第二P型阱区(6)上层靠近第一P型阱区(7)的一侧具有P+体接触区(12)，P+体接触区(12)与第一绝缘介质(4)接触；所述源极金属(15)位于第一P型阱区(7)、第一绝缘介质(4)、P+体接触区(12)上表面，源极金属(15)引出端为源极；第一浮空金属(14)位于第一N+源区(13)上表面；

所述栅极结构为沟槽栅，所述沟槽栅由第二绝缘介质(8)和位于第二绝缘介质(8)之中的第一导电材料(9)构成；所述沟槽栅沿器件垂直方向贯穿第一P型阱区(7)后延伸入N型漂移区(5)中，第二绝缘介质(8)与第一N+源区(13)、第一P型阱区(7)和N型漂移区(5)接触；所述第一导电材料(9)的引出端为栅极；

其特征在于，第二P型阱区(6)的上层还具有第二N+源区(11)和第二N+漏区(10)，第二N+源区(11)与P+体接触区(12)接触，第二N+漏区(10)位于远离P+体接触区(12)的一侧；还包括第三绝缘介质(16)、第二导电材料(17)和第二浮空金属(18)，第三绝缘介质(16)位于第二N+源区(11)和第二N+漏区(10)之间的第二P型阱区(6)的上表面，且第三绝缘介质(16)还向两侧延伸至部分第二N+源区(11)和第二N+漏区(10)的上表面；第二导电材料(17)位于第三绝缘介质(16)上表面，第二导电材料(17)与栅极连接；所述第二浮空金属(18)位于第二N+漏区(10)上表面，第二浮空金属(18)与第一浮空金属(14)相连接；源极金属(15)还延伸至部分第二N+源区(11)的上表面，源极金属(15)与第一P型阱区(7)形成肖特基接触。