1.一种极化增强窄带AlGaNp‑i‑n型紫外探测器，其结构自下而上依次包括：衬底层、模板层、光学过滤层、掺杂层、过渡层、吸收层、极化调制层、欧姆接触层、钝化层；其特征在于：所述模板层为非故意掺杂的AlN，所述光学过滤层为Al组分为0.45的n型重掺杂的AlGaN，所述掺杂层为Al组分为0.35的n型重掺杂的AlGaN，所述过渡层为Al组分渐变的n型AlGaN，所述吸收层为Al组分为0.3的非故意掺杂AlGaN，所述极化调制层为Al组分为0.15的p型AlGaN，所述欧姆接触层为p型GaN，还包括n型欧姆电极、p型欧姆电极，在掺杂层引出n型欧姆电极，在欧姆接触层引出p型欧姆电极。

2.根据权利要求1所述的极化增强窄带AlGaNp‑i‑n型紫外探测器，其特征在于：所述衬底为蓝宝石衬底。

3.根据权利要求2所述的极化增强窄带AlGaNp‑i‑n型紫外探测器，其特征在于：所述模板层厚度为2μm。

4.根据权利要求3所述的极化增强窄带AlGaNp‑i‑n型紫外探测器，其特征在于：所述光学过滤层厚度为1000nm。

5.根据权利要求4所述的极化增强窄带AlGaNp‑i‑n型紫外探测器，其特征在于：所述掺杂层厚度为800nm。

6.根据权利要求5所述的极化增强窄带AlGaNp‑i‑n型紫外探测器，其特征在于：所述过渡层厚度为60nm，Al组分在0.35‑0.3之间逐渐变化，靠近掺杂层的Al组分为0.35，靠近吸收层的Al组分为0.3。

7.根据权利要求6所述的极化增强窄带AlGaNp‑i‑n型紫外探测器，其特征在于：所述吸收层厚度为250nm。

8.根据权利要求7所述的极化增强窄带AlGaNp‑i‑n型紫外探测器，其特征在于：所述极化调制层厚度为150nm。

9.根据权利要求8所述的极化增强窄带AlGaNp‑i‑n型紫外探测器，其特征在于：所述欧姆接触层厚度为50nm，钝化层为2μm的二氧化硅。

10.根据权利要求1‑9中任一项所述的极化增强窄带AlGaNp‑i‑n型紫外探测器的制备方法，其步骤包括：

(1)利用金属有机化合物化学气相沉积系统在蓝宝石衬底上依次沉积模板层、光学过滤层、掺杂层、过渡层、吸收层、极化调制层、欧姆接触层；

(2)利用感应耦合等离子设备刻蚀到掺杂层；然后在基片表面沉积一层绝缘材料作为钝化层，并进行开窗口，露出n型电极和p型电极的欧姆接触区域；

(3)利用电子束蒸发设备在掺杂层的欧姆接触区域上蒸镀钛/铝/镍/金，厚度为20/

130/50/100nm，然后将器件置于快速退火炉中，通入氮气，在850℃的温度下退火30s，获得n型欧姆电极；

(4)利用电子束蒸发设备在欧姆接触层的欧姆接触区域上蒸镀镍/金，厚度为20/20nm，然后将器件置于快速退火炉中，通入空气，在550℃的温度下退火13min，获得p型欧姆电极。