1.一种p-GaN/i-GaN/n-BN中子探测器，其特征在于：该探测器的结构从下至上依次为包括晶向为c轴0001面Al2O3衬底层、n-BN中子转换层兼电荷收集层、i-GaN电荷产生层、p-GaN电荷收集层；上述结构中的n-BN中的10B与入射中子发生核反应产生α粒子，其中BN中的B为B的同位素10B,一部分α粒子电离n-BN层产生电子空穴对，另外一部分α粒子电离i-GaN层产生电子空穴对，空穴和电子分别被n-BN层和p-GaN层所收集。

2.根据权利要求1所述的p-GaN/i-GaN/n-BN中子探测器，其特征在于：所述n-BN中子转换层兼电荷收集层，其厚度为5～50μm，掺杂元素为S，掺杂浓度为(5～8)×1018cm-3。

3.根据权利要求1所述的p-GaN/i-GaN/n-BN中子探测器，其特征在于：所述i-GaN电荷产生层，其厚度为5～20μm，为非故意掺杂GaN材料。

4.根据权利要求1所述的p-GaN/i-GaN/n-BN中子探测器，其特征在于：所述p-GaN电荷收集层，其厚度为100～500nm，掺杂元素为Mg，掺杂浓度为(1～3)×1019cm-3。

5.根据权利要求1所述的p-GaN/i-GaN/n-BN中子探测器,其制备方法包括以下步骤：

(1)、n-BN的制备：采用金属有机物化学气相沉积系统在Al2O3衬底上先预生长缓冲层，而后外延生长n-BN，三乙基硼和NH3作为BN的前驱反应物，H2作为载气，硫化氢作为S掺杂剂，生长温度1300～1500℃，厚度为5～50μm，掺杂浓度为(5～8)×1018cm-3；

(2)、i-GaN的制备：采用金属有机物化学气相沉积系统在n-BN上外延生长i-GaN，三甲基镓源和NH3作为i-GaN的前驱反应物，H2作为载气，生长温度1000～1100℃，厚度为5～20μm；

(3)、p-GaN的制备：采用金属有机物化学气相沉积系统在i-GaN上外延生长p-GaN，三甲基镓源和NH3作为p-GaN的前驱反应物，H2作为载气，二茂镁作为Mg掺杂元素的气体掺杂源，生长温度900～1000℃，掺杂浓度为(1～3)×1019cm-3，厚度为2～5μm；

(4)、利用匀胶机在上述p-GaN/i-GaN/n-BN的表面涂上一层正光刻胶并曝光、显影，产生光刻图形；用感应耦合等离子体刻蚀技术刻蚀p-GaN/i-GaN/n-BN至n-BN层，在p-GaN/i-GaN/n-BN上形成阶梯层；

(5)、用热蒸发或电子束蒸发设备在n-BN上沉积Ti/Au双层金属电极并退火，制备n-BN欧姆接触电极，其中Ti的厚度为10～20nm，Au的厚度为50～200nm，而后进行欧姆接触电极退火处理，退火温度为550～650℃，退火时间为300～600s；

(6)、用热蒸发或电子束蒸发设备在p-GaN上沉积Ni/Au双层金属电极并退火，制备p-GaN欧姆接触电极，其中Ni的厚度为10～20nm，Au的厚度为50～150nm，而后进行欧姆接触电极退火处理，退火温度为450～550℃，退火时间为600～900s；

(7)、利用超声波金丝球焊机将制备好欧姆接触金属电极的p-GaN/i-GaN/n-BN用10～

25μm金丝键合至PCB电路板，将含有p-GaN/i-GaN/n-BN的电路板封装到镀金的铝外壳中，完成探测器的装配。