1.一种基于S锥形单模光纤封装结构的光纤温度传感器的制备方法，其特征在于，用于制备基于S锥形单模光纤封装结构的光纤温度传感器，包括：“S”状锥形光纤结构(1)、Teflon套管(2)、输入光纤(3)和输出光纤(4)；其中：“S”状锥形光纤结构(1)的一端与输入光纤(3)相连，另一端与输出光纤(4)相连，Teflon套管(2)包裹在“S”状锥形光纤结构(1)外部，且Teflon套管(2)内填充有折射率匹配液，使折射率匹配液完全浸没“S”状锥形光纤结构(1)；“S”状锥形光纤结构(1)和Teflon套管(2)进行封装时采用双重封口的方法；

光纤温度传感器输入端的输入光纤(3)与宽谱光源相连，输出端的输出光纤(4)与光谱仪相连，当检测区域的温度在一定范围内发生变化时，光谱仪采集到的透射光谱中的特征透射峰的位置和强度会发生变化，通过对特征透射峰波长变化的追踪，即可实现对温度变化的检测；

“S”状锥形光纤结构(1)的形状参数为：

“S”状锥形光纤结构(1)的锥区长度L为650～850μm，锥腰直径D为25～40μm，轴向偏差Offset为50～65μm；用于封装的Teflon套管(2)内径为1.5mm，壁厚0.2mm，长度为2cm；

双重封口的方法具体为：

将“S”状锥形光纤结构(1)置于Teflon套管(2)内，在Teflon套管(2)的管口一端滴入紫外固化胶并用紫外灯照射固化，然后利用小孔径针头注射器在Teflon套管(2)内注入折射率匹配液，待其完全浸泡住“S”状锥形光纤结构(1)，再用紫外固化胶封住Teflon套管(2)的管口另一端，最后用AB胶对两端封装好的管口进行二次封装；

该方法包括以下步骤：

S1、单模光纤预处理：选取两根单模光纤，用剥丝钳或刀片去除掉光纤的涂覆保护层，并用酒精擦拭光纤表面以除去残留物；然后借助光纤切割刀将光纤的端面切割平整，以备后用；

S2、熔接模式的选择：将端面切割平整的两根单模光纤熔放在熔接机上，并用夹具固定好；选择单模‑单模的熔接模式，设置基本熔接参数，设置对芯模式为手动，锥形熔接为“开”状态，并调整锥形熔接参数：锥形熔接等待时间、锥形熔接速度和锥形熔接长度；

S3、执行熔接操作：调整好熔接模式的相关参数后，按下“set”按钮，从光纤熔接机屏幕上可以看到两根光纤会慢慢移动直至对齐，清洁放电完成后即保持静止，通过调整夹具相对位置，使两根光纤发生径向上的错位，这时再次按下“set”按钮，从屏幕上看到错位后的光纤会慢慢熔接在一起，紧接着向两边发生拉伸，逐渐形成“S”状锥形光纤结构；

S4、封装及填充处理：将制备好的“S”状锥形光纤结构放进封装的Teflon套管内，在Teflon套管一端滴入紫外固化胶并用紫外灯照射固化，然后利用小孔径针头注射器在管内注入折射率匹配液，待其完全浸泡住“S”状锥形光纤结构，再用紫外固化胶封住管口另一端，最后用AB胶对两端封装好的管口进行二次封装；

步骤S1中选取的两根单模光纤的内径为8μm、外径为125μm；

步骤S2中设置的基本熔接参数为：清洁放电时间为150ms，光纤预熔功率为标准，光纤预熔时间为180ms，重叠为10μm，放电功率为标准，放电时间为2000ms，二次放电功率为标准强度，二次放电时间0ses，进行时间180ms，停止时间0ms。

2.根据权利要求1所述的基于S锥形单模光纤封装结构的光纤温度传感器的制备方法，其特征在于，输入光纤(3)和输出光纤(4)均为单模光纤。

3.根据权利要求1所述的基于S锥形单模光纤封装结构的光纤温度传感器的制备方法，其特征在于，选取1.39的Cargille折射率匹配液作为填充液。