1.一种导电薄膜材料，其特征在于，它由如下质量份数的组份组成：

1,3丙磺酸内酯改性UiO-66-NH2 5～6份；

咪唑掺杂的UiO-66-NH2 4～5份；

高分子基材 23～90份。

2.根据权利要求1所述的导电薄膜材料，其特征在于，所述1,3丙磺酸内酯改性UiO-66-NH2通过如下方法制备：将相同质量的1,3丙磺酸内酯和UiO-66-NH2加入到二氯甲烷中，25-

30℃下搅拌24-36h，过滤得到1,3丙磺酸内酯改性UiO-66-NH2固体。

3.根据权利要求1所述的导电薄膜材料，其特征在于，所述咪唑掺杂的UiO-66-NH2通过如下方法制备：将装有UiO-66-NH2的容器，敞开放入装有咪唑的另一容器中，密封后在120-

150℃下反应96-120h，得到咪唑掺杂的UiO-66-NH2固体；其中，UiO-66-NH2和咪唑的质量比为1:5～20。

4.根据权利要求1所述的导电薄膜材料，其特征在于，所述高分子基材为壳聚糖、聚乙烯吡咯烷酮、聚对苯二甲酸乙二醇酯中的任意一种，和聚偏氟乙烯组成的混合物。

5.根据权利要求4所述的导电薄膜材料，其特征在于，所述高分子基材包括质量百分数为60-80％的聚偏氟乙烯和质量百分数为20-40％的壳聚糖。

6.根据权利要求4所述的导电薄膜材料，其特征在于，所述高分子基材包括质量百分数为60-80％的聚偏氟乙烯和质量百分数为20-40％的聚乙烯吡咯烷酮。

7.根据权利要求4所述的导电薄膜材料，其特征在于，所述高分子基材包括质量百分数为60-80％的聚偏氟乙烯和质量百分数为20-40％的聚对苯二甲酸乙二醇酯。

8.权利要求1所述导电薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将1,3丙磺酸内酯改性UiO-66-NH2和咪唑掺杂的UiO-66-NH2混合，得到导电粉末；

(2)将步骤(1)所得导电粉末与高分子基材一起加入到溶剂中，搅拌均匀，再进行研磨，得到膜液；

(3)将步骤(1)所得膜液倒在洁净的基板上，放入烘箱，在60～80℃下烘干即得。

9.根据权利要求8所述的导电薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述溶剂为二甲基甲酰胺。

10.根据权利要求8所述的导电薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述基板为玻璃板或不锈钢板。