1.一种高收缩率铜导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

按配比混合雾化铜粉和还原铜粉制备导电前驱体物料，雾化铜粉的平均粒径为3‑5μm，还原铜粉的平均粒径为0.5‑1μm，导电前驱体物料中含有70‑90wt.%的雾化铜粉；

按配比混合松油醇、乙基纤维素、聚乙烯吡咯烷酮 K30、聚乙二醇200、石蜡、聚氧丙烯获得有机混合溶液，在水浴加热的条件下对获得的有机混合溶液进行搅拌处理，获得有机溶液前驱体物料，松油醇、乙基纤维素、聚乙烯吡咯烷酮 K30、聚乙二醇200、石蜡、聚氧丙烯的重量份的比为85:5:3:3:2:2；

按配比混合氧化铋、中性氧化铝、硼酐、二氧化锰获得无机混合粉体，对获得的无机混合粉体进行烧结处理后进行细化处理，获得无机前驱体物料，氧化铋、中性氧化铝、硼酐、二氧化锰的重量份的比为55‑70:15:15:5；

按配比将导电前驱体物料、无机前驱体物料与有机溶液前驱体物料混合，在水浴加热条件下搅拌均匀，获得烧结型导电铜浆；

将烧结型导电铜浆均匀涂覆在陶瓷基板表面，对涂覆有烧结型铜浆的陶瓷基板依次进行真空消泡处理和真空流平处理，获得烧结型导电铜浆涂覆流平组件；

将烧结型导电铜浆涂覆流平组件置于保护气氛中进行排胶热处理和固化热处理，获得高收缩率铜导电薄膜材料。

2.根据权利要求1所述的高收缩率铜导电薄膜的制备方法，其特征在于，在水浴加热的条件下对获得的有机混合溶液进行搅拌处理时，水浴加热的温度为80℃，搅拌处理的时间为1h。

3.根据权利要求1所述的高收缩率铜导电薄膜的制备方法，其特征在于，烧结处理包括：对获得的无机混合粉体辊磨处理12h后加热至900‑1200℃，保温1h，空气冷却。

4.根据权利要求1所述的高收缩率铜导电薄膜的制备方法，其特征在于，细化处理包括：在球料比为15:1的条件下对烧结后的无机混合粉体球磨24h，采用200目的筛网对球磨处理后的物料进行筛选，获得无机前驱体物料。

5.根据权利要求1所述的高收缩率铜导电薄膜的制备方法，其特征在于，按配比将导电前驱体物料、无机前驱体物料与有机溶液前驱体物料混合，在水浴加热条件下搅拌均匀，获得烧结型导电铜浆包括： 将72‑78重量份的导电前驱体物料与8‑12重量份的无机前驱体物料进行6h的辊磨混合，将获得的辊磨混合物料与14‑18重量份的有机溶液前驱体物料混合后置于60℃的水浴加热条件下磁力搅拌2h，获得烧结型导电铜浆。

6.根据权利要求1所述的高收缩率铜导电薄膜的制备方法，其特征在于，将烧结型导电铜浆均匀涂覆在陶瓷基板表面，包括：采用孔径为200目的丝网将烧结型铜浆印刷在陶瓷基板表面，所述陶瓷基板由纯度不小于99%的氧化铝材料制得，所述陶瓷基板的表面平均粗糙度不大于Ra0.8。

7.根据权利要求1所述的高收缩率铜导电薄膜的制备方法，其特征在于，对涂覆有烧结型铜浆的陶瓷基板依次进行真空消泡处理和真空流平处理，包括：采用真空抽泡机在对涂覆有烧结型铜浆的陶瓷基板进行2h的真空消泡处理，将经过真空消泡处理的涂覆有烧结型铜浆的陶瓷基板置于真空中加热至80℃保温20min。

8.根据权利要求1所述的高收缩率铜导电薄膜的制备方法，其特征在于，将烧结型导电铜浆涂覆流平组件置于保护气氛中进行排胶热处理和固化热处理，获得高收缩率铜导电薄膜材料包括：将烧结型导电铜浆涂覆流平组件置于保护气氛中，以2℃/min的升温速率升温至700℃后保温2‑5h，以5℃/ min的升温速率升温至750‑900℃后保温1‑2h，获得高收缩率铜导电薄膜材料。

9.一种高收缩率铜导电薄膜材料，其特征在于，所述高收缩率铜导电薄膜材料根据权利要求1‑8任一所述的方法制备所得。