1.基于二氧化钛光子晶体的氮化镓基面发射型激光器，其特征在于，包括蓝宝石衬底层；

n‑GaN层，位于蓝宝石衬底层之上；

n‑AlGaN层，位于n‑GaN层之上；

波导n‑GaN层，位于n‑AlGaN层之上；

MQWs层，位于波导n‑GaN层之上；

p‑GaN层，位于波导MQWs层之上；

TiO2光子晶体层，位于p‑GaN层之上；

n‑电极，n‑电极在波导n‑GaN层的表面；

p‑电极，p‑电极在p‑GaN层的表面，TiO2光子晶体层是将TiO2层进行刻透形成周期性孔洞的结构，光子晶体的晶格类型为正方晶格或三角晶格或蜂窝型晶格，周期为150 250 nm，~

孔半径为10 100 nm。

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2.根据权利要求1所述的基于二氧化钛光子晶体的氮化镓基面发射型激光器，其特征在于，所述n‑电极和p‑电极采用四周环形电极结构、中心实心电极结构、边角电极结构和光泵浦结构设计。

3. 根据权利要求1所述的基于二氧化钛光子晶体的氮化镓基面发射型激光器，其特征在于，所述n‑AlGaN层厚度为300 1000 nm，Al含量为10% 20%。

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4. 根据权利要求1所述的基于二氧化钛光子晶体的氮化镓基面发射型激光器，其特征在于，所述n‑GaN层厚度为1 8 µm，波导n‑GaN层厚度为20 250 nm，p‑GaN层厚度为20 250 ~ ~ ~

nm。

5.根据权利要求1 4所述的基于二氧化钛光子晶体的氮化镓基面发射型激光器的制备~

方法，起始材料为蓝宝石基GaN有源晶片，包括以下步骤：步骤（1）：在蓝宝石基GaN有源晶片表面生长一定厚度的TiO2;步骤（2）：在TiO2表面进行电子束光刻，形成光子晶体掩膜结构；

步骤（3）：进行干法或湿法刻蚀TiO2，形成孔洞结构，并去除电子束光刻的电子束胶；

步骤（4）：采用光刻及TiO2刻蚀工艺，留下设定区域的TiO2光子晶体层；

步骤（5）：采用光刻及lift off工艺在p‑GaN表面设定区域进行p电极的制备；

步骤（6）：采用光刻及Ⅲ‑Ⅴ刻蚀工艺，由上到下将设定区域刻蚀至n‑GaN层；

步骤（7）：采用光刻及lift off工艺在n‑GaN表面设定区域进行n电极的制备。