1.非对称Chireix合成架构，其特征在于：包括第一支路和第二支路，所述第一支路设置第一功率放大器，所述第二支路设置第二功率放大器，所述第一功率放大器的输入端与第一信号相连接，所述第二功率放大器的输入端与第二信号相连接，所述第一信号和第二信号为非对称恒包络相位调制信号；所述第一功率放大器和第二功率放大器的输出端与非对称Chireix功率合成器相连接；

非对称Chireix功率合成器包括第一微带线TL1、第二微带线TL2、第三微带线TL3、第四微带线TL4和第五微带线TL5，其中，第一微带线TL1的一端与第一功率放大器的输出端相连接，第一微带线TL1的另一端与第二微带线TL2的一端相连接；第三微带线TL3的一端与第二功率放大器的输出端相连接，第三微带线TL3的另一端与第四微带线TL4的一端相连接；第二微带线TL2的另一端与第四微带线TL4的另一端合路后与第五微带线TL5的一端相连接，第五微带线TL5的另一端与负载相连接；

非对称的恒包络相位调制信号的幅度不同，分别为V1，V2，相位不对称，分别为‑φm1，φm2；经第一，第二功率放大器放大后两路信号如下式(1)所示，Vm1,Vm2是放大后的幅度；

第五微带线TL5的电长度为λ/4，其特征阻抗如式(2)计算，其中，Rsum为负载阻抗，其值为

50欧；

两支路的输出电流如式(3)所示:

I1＝Am1(sinφm1‑jcosφm1)

I2＝Am2(sinφm2+jcosφm2)                   (3)其中Am1，Am2是电流的幅度，φm1，φm2是相位变量，I1是第一支路输出电流，I2是第二支路输出电流；

根据式(3)，阻抗用相位变量表示，如式(4)所示：

将式(4)带入式(2)可以得出第五微带线TL5的特征阻抗ZC1；

第二微带线TL2和第四微带线TL4用于阻抗变换，且电长度都为λ/4，特征阻抗都为Zc2，根据式(4)可以得到：其中，Y1和Y2为两个支路的输入导纳。

2.根据权利要求1所述的非对称Chireix合成架构，其特征在于：第一微带线TL1和第三微带线TL3的电长度由晶体管的寄生参数、传统Chireix合成器两支路加入的对称电抗，以及非对称Chireix合成器额外增加的电抗共同决定。

3.根据权利要求1所述的非对称Chireix合成架构，其特征在于：第一功率放大器和第二功率放大器为开关类功率放大器。

4.非对称Chireix合成架构的设计方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：利用ADS软件模拟输入上下两路非对称恒包络相位调制信号；

步骤S2：根据应用需求选取第一功率放大器和第二功率放大器；

步骤S3：得出第五微带线TL5的特征阻抗ZC1，计算公式如下：其中，Rsum为负载阻抗，其值为50欧；

其中Am1，Am2是电流的幅度，φm1，φm2是相位变量；

步骤S3：根据晶体管的寄生参数，传统Chireix合成器两支路加入的对称电抗，以及非对称Chireix合成器额外增加的电抗，共同确定第一微带线TL1，第三微带线TL3的电长度；

步骤S4：计算得出第一微带线TL1，第三微带线TL3的特征阻抗Zc3，第二微带线TL2,第四微带线TL4的特征阻抗ZC2。