1.基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管，其特征在于，至少包括漏极(1)、源极(2)、在衬底(6)形成至少一异质结构，以及设置该异质结构上的Ga2O3/TiO2复合悬浮栅，其中，所述异质结构的界面处形成异质结沟道，所述异质结沟道内可以形成二维电子气(5)，所述二维电子气(5)受控于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅；所述Ga2O3/TiO2复合悬浮栅分布于源极(2)和漏极(1)之间，包括TiO2层(7)和设置在该TiO2层(7)上Ga2O3层(8)；所述源极(2)和漏极(1)经所述异质结沟道电连接，其电流大小由所产生的二维电子气(5)决定。

2.根据权利要求1所述的基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管，其特征在于，所述Ga2O3/TiO2复合悬浮栅受紫外光照射时，在TiO2层(7)一侧产生空穴，该空穴在异质结沟道中感应出二维电子气(5)。

3.根据权利要求1或2所述的基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管，其特征在于，所述异质结构至少包括GaN层(4)和设置在该GaN层(4)上的AlGaN层(3)，所述AlGaN层(3)和GaN层(4)的界面处形成异质结沟道。

4.基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

步骤S1：在衬底(6)上形成至少一异质结构，并形成异质结沟道，所述异质结沟道内可以形成二维电子气(5)；该异质结构至少包括GaN层(4)和设置在该GaN层(4)上的AlGaN层(3)；所述AlGaN层(3)的厚度低于足以产生二维电子气(5)的临界厚度；

步骤S2：在AlGaN/GaN异质结构形成TiO2层(7)，在该TiO2层(7)上设置Ga2O3层(8)，形成Ga2O3/TiO2复合悬浮栅结构；

步骤S3：制备源极(2)和漏极(1)，并使所述源极(2)与漏极(1)经异质结沟道电连接，Ga2O3/TiO2复合悬浮栅极分布于源极和漏极之间；

步骤S4：利用台面刻蚀形成器件隔离；

步骤S5：制作源极、栅极、漏极引线。

5.根据权利要求4所述的基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管的制备方法，其特征在于，所述源极(2)和漏极(1)分别与所述AlGaN/GaN异质结构形成欧姆接触。

6.根据权利要求4或5所述的基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2中，利用选区刻蚀方法形成Ga2O3/TiO2复合悬浮栅结构。

7.根据权利要求4或5所述的基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管的制备方法，其特征在于，在所述步骤S1和S2中，通过MOCVD、MBE、PECVD外延生长方式在衬底主平面上生长形成AlGaN/GaN异质结构以及形成Ga2O3/TiO2纳米复合结构。

8.紫外探测器件，其特征在于，采用至少一个基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管，该场效应管至少包括漏极(1)、源极(2)、在衬底(6)形成至少一异质结构以及设置该异质结构上的Ga2O3/TiO2复合悬浮栅，其中，所述异质结构的界面处形成异质结沟道，所述异质结沟道内可以形成二维电子气(5)，所述二维电子气(5)受控于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅；

所述Ga2O3/TiO2复合悬浮栅分布于源极(2)和漏极(1)之间，包括TiO2层(7)和设置在该TiO2层(7)上Ga2O3层(8)；所述源极(2)和漏极(1)经所述异质结沟道电连接，其电流大小由所产生的二维电子气(5)决定；

所述Ga2O3/TiO2复合悬浮栅受紫外光照射时，在TiO2层(7)一侧产生空穴，该空穴在异质结沟道中感应出二维电子气(5)导致源极(2)和漏极(1)之间的电流变化，该电流变化与紫外光强度相适应。

9.根据权利要求8所述的紫外探测器件，其特征在于，多个场效应管形成阵列结构。

10.根据权利要求8或9所述的紫外探测器件，其特征在于，所述异质结构至少包括GaN层(4)和设置在该GaN层(4)上的AlGaN层(3)，所述AlGaN层(3)和GaN层(4)的界面处形成异质结沟道。