1.一种电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器，包括高阻硅基底(1)、位于高阻硅基底(1)之上的绝缘层(2)和固定于绝缘层(2)表面的二维阵列(4)，所述二维阵列(4)的边长为入射太赫兹波束直径的1.0～1.5倍；绝缘层(2)和高阻硅基底(1)的长和宽均大于二维阵列(4)的长和宽；所述绝缘层(2)为氮化硅层或者氧化硅层，厚度为0.5微米～2.0微米；太赫兹波从二维阵列(4)上方正入射，穿过二维阵列(4)得到滤波，并穿过绝缘层(2)和高阻硅基底(1)后射出；其特征在于：所述二维阵列(4的每个阵列单元包括一个冂形金属结构(41)、2个T形金属结构(42)、2个I形金属结构(43)、1条引线(44)和相变垫片；

所述冂形金属结构(41)的冂形横置，两平行的金属条的一端与另一作为冂顶的金属条两端垂直连接构成冂形；冂顶的垂直平分线为冂形金属结构(41)的中心线；

所述2个T形金属结构(42)的T形下方的竖条底端分别与冂形金属结构(41)两平行条的另一端连接，2个T形金属结构(42)相对于冂形金属结构(41)的中心线呈对称；T形的竖条与冂形的二平行条垂直，T形顶部横条平行于冂形金属结构(41)的中心线；

所述2个I形金属结构(43)处于冂形金属结构(41)的冂顶的一侧，2个I形金属结构(43)的中心线处于同一直线上，且该直线垂直于冂形金属结构(41)的中心线；2个I形金属结构(43)相对于冂形金属结构(41)的中心线呈对称；I形金属结构(43)主体金属条与冂形金属结构(41)冂顶金属条平行，二者有间隙；

一个内相变垫片(45)处于一个阵列单元内，位于2个I形金属结构(43)相对一端的下方，内相变垫片(45)的宽度大于I形金属结构(43)主体顶端或底端短条的长、长度大于2个I形金属结构(43)相对的一端的短条内侧之间距离；即2个I形金属结构(43)相对一端和I形金属结构(43)的部分主体位于内相变垫片(45)上且与之相接触；

间相变垫片(46)处于相邻的阵列单元行间，位于相邻的两行阵列单元的相对的2个T形金属结构(42)下方，间相变垫片(46)的宽度大于T形金属结构(42)T形顶横条的长，长度大于2个T形金属结构(42)相对的T形顶横条内侧之间距离；即相邻的阵列行间2个相对T形金属结构(42)T形顶横条和它们的部分T形竖条位于间相变垫片(46)上且与之相接触；

所述二维阵列(4)每一行有一条引线(44)，由最左至最右，每行引线(44)的中心线与该行的各阵列单元冂形金属结构(41)的中心线重合，每行引线(44)与该行的各阵列单元冂形金属结构(41)的冂顶金属条垂直相嵌合连接；此行各阵列单元的2个I形金属结构(43)分别处于引线(44)的上下两侧，靠近引线(44)的I形金属结构(43)I形主体的顶端或底端的短条与引线(44)保持间隙；每行的引线(44)压在位于该行各阵列单元2个I形金属结构(43)相对一端下方的内相变垫片(45)上并与之接触；

二维阵列(4)左右两侧绝缘层(2)上各固定一电极(3)，分别连接直流电源的正负极，连接线路上各有一个开关，二开关的启闭同步；两侧的电极(3)分别与二维阵列(4)左侧第一列和右侧最后一列的各行的引线(44)相连接；

电极(3)连接直流电源的开关开启时，两个相变垫片(45、46)均为低电导率，即行与行之间T形金属结构(42)是阻断的，同一阵列单元内的2个I形金属结构(43)也是阻断的，此时本滤波器工作于带阻滤波状态；

电极(3)连接直流电源的开关闭合时，引线(44)和冂形金属结构(41)、T形金属结构(42)通电，二相变垫片(45、46)被加热转为高电导率，即二维阵列(4)行与行之间的T形金属结构(42)连通，同一阵列单元内的2个I形金属结构(43)也连通，此时本滤波器工作于带通滤波状态。

2.根据权利要求1所述的电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器，其特征在于：

所述直流电源的电压为12伏～24伏。

3.根据权利要求1所述的电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器，其特征在于：

所述二维阵列(4)中一个阵列单元的横向宽度为40微米～48微米、纵向长度为64微米～72微米。

4.根据权利要求1所述的电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器，其特征在于：

所述冂形金属结构(41)、T形金属结构(42)、I形金属结构(43)和引线(44)为金片、铜片或铝片中任意一种的金属片条，厚度为0.2微米～0.8微米，宽度为3微米～5微米。

5.根据权利要求1所述的电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器)，其特征在于：

所述内相变垫片(45)和间相变垫片(46)是二氧化钒垫片、二硫化钼垫片和锗锑碲垫片中的任意一种，厚度为0.1微米～0.15微米。

6.根据权利要求5所述的电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器，其特征在于：

所述内相变垫片(45)的长度为23微米～27微米，宽度为10微米～14微米；所述间相变垫片(46)的长度为14微米～18微米，宽度为10微米～14微米。

7.根据权利要求1所述的电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器，其特征在于：

所述冂形金属结构(41)中，冂顶金属条的长度为40微米～48微米，二平行金属条的长度为冂顶长度的1/4至1/3。

8.根据权利要求1所述的电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器，其特征在于：

所述T形金属结构(42)中，T形结构的下竖条长度为4微米～8微米，T形结构上横条长度为5微米～8微米。

9.根据权利要求1所述的电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器，其特征在于：

所述I形金属结构(43)主体的长度为10微米～16微米，顶端或底端的横条长度为主体长度的1/2至2/3。

10.根据权利要求1所述的电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器，其特征在于：

靠近引线(44)的I形金属结构(43)的顶端或底端的横条与引线(44)之间的间距为4.0微米～8.0微米；和/或，I形金属结构(43)主体金属条与冂形金属结构(41)冂顶之间的间距为6.0微米～10微米。