1.一种太赫兹波带通带阻滤波器件，其特征在于：包括介质衬底层以及设置在所述介质衬底层两侧的第一结构层和第二结构层，所述第一结构层为所述太赫兹波带通带阻滤波器件的正面，所述第一结构层和所述第二结构层分别由介质衬底层的两端镀金再蚀刻而成，所述第一结构层为椭圆金属孔层，第一结构层由镀金后刻蚀掉金属环状结构的其余部分组成，所述第二结构层为椭圆金属环层，第二结构层由镀金后刻蚀出的金属环状结构组成，金属环状结构的外边缘为椭圆形，金属环状结构的内边缘为圆形，外部椭圆形与内部圆形同心设置，令椭圆金属环层和椭圆金属孔层的长轴与太赫兹波场的X轴之间的夹角为α，α的取值范围为0‑90°。

2.根据权利要求1所述的一种太赫兹波带通带阻滤波器件，其特征在于：所述椭圆金属环层和所述椭圆金属孔层的厚度为150‑200nm，边长为100‑150μm，椭圆长轴为50‑70μm，短轴为40‑60μm，椭圆内部圆半径为35‑45μm。

3.根据权利要求2所述的一种太赫兹波带通带阻滤波器件，其特征在于：所述介质衬底层的厚度是200‑500μm，衬底材料为高电阻率的硅。

4.根据权利要求3所述的一种太赫兹波带通带阻滤波器件，其特征在于：所述椭圆金属环层和所述椭圆金属孔层的厚度为200nm，边长为120μm，椭圆长轴为50μm，短轴为40μm，椭圆内部圆半径为35μm，所述介质衬底层的厚度是500μm。

5.根据权利要求1‑4任意一项所述的一种太赫兹波带通带阻滤波器件的使用方法，其特征在于：入射线偏振光的偏振方向与太赫兹波场的X轴取向平行或垂直，入射光从所述太赫兹波带通带阻滤波器件正面进入第一结构层。