1.一种基片集成波导的宽阻带带通滤波器，其特征在于，包括从上往下依次堆叠的顶层金属层、中间第一介质基片层、中间金属层、中间第二介质基片层和底层金属层；

中间第一介质基片层上开设有金属化通孔阵列，金属化通孔阵列的左侧部、顶层金属层和中间金属层构成第一基片集成波导谐振腔，金属化通孔阵列的右侧部、顶层金属层和中间金属层构成第四基片集成波导谐振腔；第一基片集成波导谐振腔和第四基片集成波导谐振腔的高次模电场最弱区域设置有外部耦合窗口；

中间第二介质基片层上开设有金属化通孔阵列，金属化通孔阵列的左侧部、中间金属层和底层金属层构成第二基片集成波导谐振腔，金属化通孔阵列的右侧部、顶层金属层和中间金属层构成第三基片集成波导谐振腔；第二基片集成波导谐振腔和第三基片集成波导谐振腔之间设置有内部耦合窗口，内部耦合窗口位于高次模电场最弱区域；

中间金属层的左侧部和右侧部均设置有内部耦合孔阵列。

2.根据权利要求1所述的一种基片集成波导的宽阻带带通滤波器，其特征在于，第一介质基片层上设置有输入端口和输出端口，输入端口在第一基片集成波导谐振腔的外部耦合窗口处馈电，输出端口在第四基片集成波导谐振腔的外部耦合窗口处馈电。

3.根据权利要求1或2所述的一种基片集成波导的宽阻带带通滤波器，其特征在于，外部耦合窗口位于所在基片集成波导谐振腔的侧壁中心处。

4.根据权利要求1所述的一种基片集成波导的宽阻带带通滤波器，其特征在于，内部耦合窗口位于第二基片集成波导谐振腔和第三基片集成波导谐振腔之间的侧壁中心处。

5.根据权利要求1所述的一种基片集成波导的宽阻带带通滤波器，其特征在于，中间金属层左侧部的内部耦合孔阵列包括第一中心金属孔和两对第一金属小孔，一对第一金属小孔设置在第一中心金属孔的上、下侧，另一对第一金属小孔设置在第一中心金属孔的左、右侧，所有第一金属小孔与第一中心金属孔的距离一致。

6.根据权利要求1所述的一种基片集成波导的宽阻带带通滤波器，其特征在于，中间金属层右侧部的内部耦合孔阵列包括第二中心金属孔和两对第二金属小孔，一对第二金属小孔设置在第二中心金属孔的斜对角方向上，并且位于第二中心金属孔的两侧，另一对第二金属小孔设置在第二中心金属孔的斜对角方向上，并且位于第二中心金属孔的两侧，所有第二金属小孔与第二中心金属孔的距离一致。