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专利号: 2020100325526
申请人: 哈尔滨商业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 玻璃;矿棉或渣棉
更新日期:2024-10-29
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.核壳型三氧化钼@氧化钨纳米晶电致变色薄膜的制备方法,其特征在于该制备方法按照以下步骤实现:一、透明导电基底的清洗:

将透明导电基底依次置于超纯水和无水乙醇中超声清洗,然后再将透明导电基底置于稀盐酸溶液中清洗,最后采用双氧水清洗,得到清洗后的透明导电基底;

二、MoO3纳米晶材料的制备:

将0.001~5mol的钼酸钠固体粉末溶解于超纯水中超声溶解,滴入盐酸继续超声分散溶解,得到MoO3纳米晶的前驱物混合溶液,将清洗后的透明导电基底浸渍在MoO3纳米晶的前驱物混合溶液中,然后在保温箱中以60~200℃的温度恒温处理,得到MoO3纳米晶/透明导电基底复合薄膜;

三、掺杂核壳型MoO3@WxOy纳米晶材料的制备:

将0.002~10mol的钨酸钠固体粉末溶解于超纯水中超声溶解,然后滴入盐酸继续超声分散溶解,得到WxOy纳米晶的前驱物混合溶液,向WxOy纳米晶的前驱物混合溶液中滴加掺杂元素溶液,MoO3纳米晶/透明导电基底复合薄膜浸渍在WxOy纳米晶的前驱物混合溶液中,然后在保温箱中以60~200℃的温度恒温处理,得到核壳型MoO3@WxOy纳米晶/透明导电基底复合薄膜。

2.根据权利要求1所述的核壳型三氧化钼@氧化钨纳米晶电致变色薄膜的制备方法,其特征在于步骤一中所述稀盐酸溶液的浓度为0.05mol/L~10mol/L。

3.根据权利要求1所述的核壳型三氧化钼@氧化钨纳米晶电致变色薄膜的制备方法,其特征在于步骤一中所述透明导电基底为ITO基底、FTO基底或PET基底。

4.根据权利要求1所述的核壳型三氧化钼@氧化钨纳米晶电致变色薄膜的制备方法,其特征在于步骤二和步骤三所述的盐酸浓度为0.1~3mol/L。

5.根据权利要求1所述的核壳型三氧化钼@氧化钨纳米晶电致变色薄膜的制备方法,其特征在于步骤二中清洗后的透明导电基底倾斜浸渍在MoO3纳米晶的前驱物混合溶液中,透明导电基底与水平面的夹角为20°~90°。

6.根据权利要求1所述的核壳型三氧化钼@氧化钨纳米晶电致变色薄膜的制备方法,其特征在于步骤二中在保温箱中以50~120℃的温度恒温处理2~25h。

7.根据权利要求1所述的核壳型三氧化钼@氧化钨纳米晶电致变色薄膜的制备方法,其特征在于钼酸钠固体粉末和钨酸钠固体粉末的摩尔比为1:0.5~2。

8.根据权利要求1所述的核壳型三氧化钼@氧化钨纳米晶电致变色薄膜的制备方法,其特征在于步骤三中掺杂元素溶液是硝酸铝溶液,硝酸铜溶液,硝酸镍溶液中的一种或多种混合溶液。

9.根据权利要求1所述的核壳型三氧化钼@氧化钨纳米晶电致变色薄膜的制备方法,其特征在于步骤三中掺杂元素溶液滴加到WxOy纳米晶的前驱物混合溶液后的浓度为0.1~

20mol/L。

10.根据权利要求1所述的核壳型三氧化钼@氧化钨纳米晶电致变色薄膜的制备方法,其特征在步骤三中在保温箱中以60~100℃的温度恒温处理5~75h。