1.核壳型三氧化钼@氧化钨纳米晶电致变色薄膜的制备方法，其特征在于该制备方法按照以下步骤实现：一、透明导电基底的清洗：

将透明导电基底依次置于超纯水和无水乙醇中超声清洗，然后再将透明导电基底置于稀盐酸溶液中清洗，最后采用双氧水清洗，得到清洗后的透明导电基底；

二、MoO3纳米晶材料的制备：

将0.001～5mol的钼酸钠固体粉末溶解于超纯水中超声溶解，滴入盐酸继续超声分散溶解，得到MoO3纳米晶的前驱物混合溶液，将清洗后的透明导电基底浸渍在MoO3纳米晶的前驱物混合溶液中，然后在保温箱中以60～200℃的温度恒温处理，得到MoO3纳米晶/透明导电基底复合薄膜；

三、掺杂核壳型MoO3@WxOy纳米晶材料的制备：

将0.002～10mol的钨酸钠固体粉末溶解于超纯水中超声溶解，然后滴入盐酸继续超声分散溶解，得到WxOy纳米晶的前驱物混合溶液，向WxOy纳米晶的前驱物混合溶液中滴加掺杂元素溶液，MoO3纳米晶/透明导电基底复合薄膜浸渍在WxOy纳米晶的前驱物混合溶液中，然后在保温箱中以60～200℃的温度恒温处理，得到核壳型MoO3@WxOy纳米晶/透明导电基底复合薄膜。

2.根据权利要求1所述的核壳型三氧化钼@氧化钨纳米晶电致变色薄膜的制备方法，其特征在于步骤一中所述稀盐酸溶液的浓度为0.05mol/L～10mol/L。

3.根据权利要求1所述的核壳型三氧化钼@氧化钨纳米晶电致变色薄膜的制备方法，其特征在于步骤一中所述透明导电基底为ITO基底、FTO基底或PET基底。

4.根据权利要求1所述的核壳型三氧化钼@氧化钨纳米晶电致变色薄膜的制备方法，其特征在于步骤二和步骤三所述的盐酸浓度为0.1～3mol/L。

5.根据权利要求1所述的核壳型三氧化钼@氧化钨纳米晶电致变色薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中清洗后的透明导电基底倾斜浸渍在MoO3纳米晶的前驱物混合溶液中，透明导电基底与水平面的夹角为20°～90°。

6.根据权利要求1所述的核壳型三氧化钼@氧化钨纳米晶电致变色薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中在保温箱中以50～120℃的温度恒温处理2～25h。

7.根据权利要求1所述的核壳型三氧化钼@氧化钨纳米晶电致变色薄膜的制备方法，其特征在于钼酸钠固体粉末和钨酸钠固体粉末的摩尔比为1：0.5～2。

8.根据权利要求1所述的核壳型三氧化钼@氧化钨纳米晶电致变色薄膜的制备方法，其特征在于步骤三中掺杂元素溶液是硝酸铝溶液，硝酸铜溶液，硝酸镍溶液中的一种或多种混合溶液。

9.根据权利要求1所述的核壳型三氧化钼@氧化钨纳米晶电致变色薄膜的制备方法，其特征在于步骤三中掺杂元素溶液滴加到WxOy纳米晶的前驱物混合溶液后的浓度为0.1～

20mol/L。

10.根据权利要求1所述的核壳型三氧化钼@氧化钨纳米晶电致变色薄膜的制备方法，其特征在步骤三中在保温箱中以60～100℃的温度恒温处理5～75h。