1.一种电容器，其特征在于，所述电容器包括：至少一个多翼结构；

叠层结构，所述叠层结构包覆所述至少一个多翼结构，所述叠层结构包括至少一层电介质层和多层导电层，所述至少一层电介质层和所述多层导电层形成导电层与电介质层彼此相邻的结构；

至少一个第一外接电极，所述第一外接电极电连接至所述多层导电层中的一部分导电层；

至少一个第二外接电极，所述第二外接电极电连接至所述多层导电层中的另一部分导电层，所述一部分导电层中的每个导电层在所述叠层结构中相邻的导电层包括有所述另一部分导电层中的至少一个导电层；

隔离环，位于所述至少一个多翼结构的外侧，且所述隔离环设置于所述叠层结构中，并自所述叠层结构的上表面沿着第一方向延伸进入或者贯穿所述叠层结构，以将所述叠层结构隔离为第一区域和第二区域，所述第一外接电极和所述第二外接电极仅与位于所述第一区域的所述叠层结构电连接。

2.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一外接电极电连接至所述多层导电层中的所有奇数层导电层，以及所述第二外接电极电连接至所述多层导电层中的所有偶数层导电层。

3.根据权利要求1或2所述的电容器，其特征在于，所述多层导电层包括：第一导电层，所述第一导电层在外形上与所述多翼结构互补。

4.根据权利要求3所述的电容器，其特征在于，所述叠层结构中除所述第一导电层之外的导电层和电介质层与所述多翼结构共形。

5.根据权利要求1或2所述的电容器，其特征在于，所述电容器还包括：填充结构，所述填充结构包覆所述叠层结构，以填充所述叠层结构形成的空隙。

6.根据权利要求5所述的电容器，其特征在于，所述填充结构在外形上与所述叠层结构互补。

7.根据权利要求1或2所述的电容器，其特征在于，所述多翼结构由电阻率小于阈值的材料形成，或者，所述多翼结构的表面形成有重掺杂的电阻率小于阈值的导电层。

8.根据权利要求7所述的电容器，其特征在于，所述叠层结构中距离所述多翼结构最近的导电层电连接所述第一外接电极，以及所述多翼结构电连接所述第二外接电极；或者所述叠层结构中距离所述多翼结构最近的导电层电连接所述第二外接电极，以及所述多翼结构电连接所述第一外接电极。

9.根据权利要求1或2所述的电容器，其特征在于，所述多翼结构包括N个轴和M个翼，其中，所述N个轴延着第一方向延伸，所述M个翼为从所述N个轴的侧壁向垂直于所述第一方向的方向延伸形成的凸起结构，M为大于或者等于2的整数，N为正整数。

10.根据权利要求9所述的电容器，其特征在于，所述M个翼由第一材料形成，所述N个轴中连接所述翼的区域由所述第一材料形成，以及所述N个轴中除连接所述翼的区域之外的区域由与所述第一材料不同的第二材料形成。

11.根据权利要求9所述的电容器，其特征在于，所述M个翼中的第一翼和所述N个轴由第三材料形成，所述M个翼中除所述第一翼之外的翼由与所述第三材料不同的第四材料形成。

12.根据权利要求11所述的电容器，其特征在于，所述第一翼位于所述M个翼中其余翼的上方。

13.根据权利要求1或2所述的电容器，其特征在于，所述电容器还包括：衬底，设置于所述多翼结构的下方。

14.根据权利要求13所述的电容器，其特征在于，所述多翼结构自所述衬底的上表面沿着第一方向延伸进入所述衬底。

15.根据权利要求13所述的电容器，其特征在于，所述叠层结构自所述衬底的上表面沿着第一方向延伸进入所述衬底。

16.根据权利要求13所述的电容器，其特征在于，所述衬底为电阻率小于阈值的衬底，所述第一外接电极设置于所述衬底的下方，所述第二外接电极设置于所述多翼结构的上方。

17.根据权利要求1或2所述的电容器，其特征在于，所述电容器还包括：电极层，设置于所述多翼结构的上方，所述电极层包括相互分离的至少一个第一导电区域和至少一个第二导电区域，所述第一导电区域形成所述第一外接电极，所述第二导电区域形成所述第二外接电极。

18.根据权利要求1或2所述的电容器，其特征在于，所述第一外接电极和/或所述第二外接电极通过互联结构电连接至所述多层导电层中的导电层。

19.根据权利要求18所述的电容器，其特征在于，所述互联结构包括至少一个绝缘层和导电通道，所述导电通道贯穿所述至少一个绝缘层，以电连接所述多层导电层中的导电层。

20.根据权利要求1或2所述的电容器，其特征在于，所述导电层包括以下中的至少一层：

重掺杂多晶硅层，金属硅化物层，碳层，导电聚合物层，铝层，铜层，镍层，氮化钽层，氮化钛层，氮化铝钛层，氮化硅钽层，氮化碳钽层。

21.根据权利要求1或2所述的电容器，其特征在于，所述电介质层包括以下中的至少一层：

硅的氧化物层，硅的氮化物层，硅的氮氧化物层，金属的氧化物层，金属的氮化物层和金属的氮氧化物层。

22.一种电容器的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上方制备至少一个多翼结构；

在所述至少一个多翼结构表面制备叠层结构，所述叠层结构包覆所述多翼结构，所述叠层结构包括至少一层电介质层和多层导电层，所述至少一层电介质层和所述多层导电层形成导电层与电介质层彼此相邻的结构；

制备至少一个第一外接电极和至少一个第二外接电极，其中，所述第一外接电极电连接至所述多层导电层中的一部分导电层，所述第二外接电极电连接至所述多层导电层中的另一部分导电层，所述一部分导电层中的每个导电层在所述叠层结构中相邻的导电层包括有所述另一部分导电层中的至少一个导电层；

制备隔离环，所述隔离环位于所述至少一个多翼结构的外侧，且所述隔离环设置于所述叠层结构中，并自所述叠层结构的上表面沿着第一方向延伸进入或者贯穿所述叠层结构，以将所述叠层结构隔离为第一区域和第二区域，所述第一外接电极和/或所述第二外接电极仅与位于所述第一区域的所述叠层结构电连接。

23.根据权利要求22所述的方法，其特征在于，所述第一外接电极电连接至所述多层导电层中的所有奇数层导电层，以及所述第二外接电极电连接至所述多层导电层中的所有偶数层导电层。

24.根据权利要求22或23所述的方法，其特征在于，所述在衬底上方制备至少一个多翼结构，包括：

在衬底上方制备多层结构，所述多层结构包括至少两个第一材料层和至少一个第二材料层，所述至少两个第一材料层和所述至少一个第二材料层形成第一材料层与第二材料层彼此相邻的结构，所述第一材料与所述第二材料不同，以及所述第一材料层与所述衬底直接接触；

在所述多层结构上制备至少一个第一沟槽，所述第一沟槽自所述多层结构的上表面沿着第一方向延伸进入所述多层结构；

去除所述第一沟槽中露出的部分第二材料层，以形成所述至少一个多翼结构。

25.根据权利要求22或23所述的方法，其特征在于，所述在衬底上方制备至少一个多翼结构，包括：

在衬底上方制备多层结构，所述多层结构包括至少一个第四材料层和至少一个第五材料层，所述至少一个第四材料层和所述至少一个第五材料层形成第四材料层与第五材料层彼此相邻的结构，所述第四材料与所述第五材料不同，所述第四材料层与所述衬底直接接触；

在所述多层结构上制备至少一个第一沟槽，所述第一沟槽自所述多层结构的上表面沿着第一方向延伸进入所述多层结构；

在所述多层结构的上方和所述至少一个第一沟槽内沉积第三材料，以形成第一结构；

在所述第一结构上制备至少一个第二沟槽，所述第二沟槽自所述第一结构的上表面沿着所述第一方向延伸进入所述多层结构，以露出所述至少一层第五材料层，且所述第二沟槽位于所述第一沟槽的外侧；

去除所述第二沟槽中露出的第五材料层，以形成所述至少一个多翼结构。

26.根据权利要求22或23所述的方法，其特征在于，所述多层导电层包括：第一导电层，所述第一导电层在外形上与所述多翼结构互补。

27.根据权利要求26所述的方法，其特征在于，所述叠层结构中除所述第一导电层之外的导电层和电介质层与所述多翼结构共形。

28.根据权利要求22或23所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：制备填充结构，所述填充结构包覆所述叠层结构，以填充所述叠层结构形成的空隙。

29.根据权利要求28所述的方法，其特征在于，所述填充结构在外形上与所述叠层结构互补。

30.根据权利要求22或23所述的方法，其特征在于，所述多翼结构由电阻率小于阈值的材料形成，或者，所述多翼结构的表面形成有重掺杂的电阻率小于阈值的导电层。

31.根据权利要求30所述的方法，其特征在于，所述叠层结构中距离所述多翼结构最近的导电层电连接所述第一外接电极，以及所述多翼结构电连接所述第二外接电极；或者所述叠层结构中距离所述多翼结构最近的导电层电连接所述第二外接电极，以及所述多翼结构电连接所述第一外接电极。

32.根据权利要求22或23所述的方法，其特征在于，所述多翼结构包括N个轴和M个翼，其中，所述N个轴延着所述第一方向延伸，所述M个翼为从所述N个轴的侧壁向垂直于所述第一方向的方向延伸形成的凸起结构，M为大于或者等于2的整数，N为正整数。

33.根据权利要求22或23所述的方法，其特征在于，所述多翼结构自所述衬底的上表面沿着第一方向延伸进入所述衬底。

34.根据权利要求22或23所述的方法，其特征在于，所述叠层结构自所述衬底的上表面沿着第一方向延伸进入所述衬底。

35.根据权利要求22或23所述的方法，其特征在于，所述制备至少一个第一外接电极和至少一个第二外接电极，包括：

在所述叠层结构上方制备电极层，所述电极层包括相互分离的至少一个第一导电区域和至少一个第二导电区域，所述第一导电区域形成所述第一外接电极，所述第二导电区域形成所述第二外接电极。

36.根据权利要求22或23所述的方法，其特征在于，所述衬底为电阻率小于阈值的衬底；

所述制备至少一个第一外接电极和至少一个第二外接电极，包括：在所述衬底下方制备所述至少一个第一外接电极，以及在所述多翼结构的上方制备所述至少一个第二外接电极。

37.根据权利要求22或23所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：制备互联结构，以使所述第一外接电极和/或所述第二外接电极通过所述互联结构电连接至所述多层导电层中的导电层。

38.根据权利要求37所述的方法，其特征在于，所述互联结构包括至少一个绝缘层和导电通道，所述导电通道贯穿所述至少一个绝缘层，以电连接所述多层导电层中的导电层。