1.一种光敏半导体Zr-TCPP MOFs结构负载Ag纳米粒子复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：A）水热法合成ZPM，将ZrCl4、苯甲酸加入DMF中混匀，再加入水和卟啉，混合均匀成溶液，其中ZrCl4、苯甲酸、DMF、水、卟啉的质量体积比为0.1～10 mg: 100～500 mg: 1～50 mL: 

10～500 μL: 1～50 mg，将溶液移入反应釜，50～200℃水热反应1～48 h，自然冷却至室温，离心分离得到沉淀物，分别用乙醇和水进行多次分离纯化，制得Zr-TCPP MOFs（ZPM）；

B）水热法将银纳米粒子负载到ZPM上，将ZPM溶于0.1～10 mM的AgNO3溶液，混合均匀，其中ZPM、AgNO3溶液的质量体积比为1～100 mg: 10 mL，将溶液移入反应釜，50～200℃持续反应1～48 h，自然冷却至室温，离心分离得到沉淀物，分别用乙醇和水进行多次分离纯化，制得ZMP-Ag。

2.根据权利要求1所述光敏半导体Zr-TCPP MOFs结构负载Ag纳米粒子复合材料的制备方法，其特征在于：步骤A）中所述ZrCl4、苯甲酸、DMF、水、卟啉的质量体积比为10 mg: 200 mg: 3 mL: 300μL: 8 mg。

3.根据权利要求1所述光敏半导体Zr-TCPP MOFs结构负载Ag纳米粒子复合材料的制备方法，其特征在于：步骤A）中所述将溶液移入反应釜，150℃水热反应 24 h。

4.根据权利要求1所述光敏半导体Zr-TCPP MOFs结构负载Ag纳米粒子复合材料的制备方法，其特征在于：步骤B）中所述ZPM、AgNO3溶液的质量体积比为20 mg: 10 mL 2 mM的AgNO3溶液。

5.根据权利要求1所述光敏半导体Zr-TCPP MOFs结构负载Ag纳米粒子复合材料的制备方法，其特征在于：步骤B）中所述将溶液移入反应釜，80℃反应3 h。

6.根据权利要求1-5任一所述方法制得的光敏半导体Zr-TCPP MOFs结构负载Ag纳米粒子复合材料ZMP-Ag。

7.根据权利要求6所述光敏半导体Zr-TCPP MOFs结构负载Ag纳米粒子复合材料ZMP-Ag，其特征在于：其形貌为椭球状，尺寸约400～600 nm。

8.一种如权利要求6所述光敏半导体Zr-TCPP MOFs结构负载Ag纳米粒子复合材料ZMP-Ag的应用，其特征在于：将其应用于抗菌。

9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于：将其应用于增强可见光利用率进行杀菌。