1.一种自激发可存储式光电导器件的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）将少层二硒化钨WSe2片从块材WSe2上转移到单晶钛酸锶SrTiO3衬底STO表面；

（2）在步骤（1）得到的样品一侧采用光刻工艺覆盖光刻胶，光刻胶覆盖面积占衬底WSe2表面面积的1/2～2/3，衬底另一侧的其余面积呈WSe2及STO表面暴露状态；

（3）采用磁控溅射工艺在步骤（2）获得的样品表面沉积金，再用丙酮将光刻胶去除后，步骤（2）中呈暴露状态的区域被金覆盖，覆盖光刻胶的部分呈WSe2及STO暴露状态；

（4）再采用光刻工艺在金覆盖的一侧覆盖光刻胶，光刻胶将金覆盖的全部面积及暴露的WSe2表面面积的1/2～2/3覆盖；

（5）采用离子束刻蚀工艺，将暴露的WSe2及STO刻蚀，待暴露的WSe2被全部刻蚀后，继续适量刻蚀STO衬底，直至被离子束刻蚀的STO衬底表面形成STO表面电子气SSEG；

（6）经丙酮、酒精和去离子水依次清洗样品后，得到一种WSe2/SSEG的PN结的自激发可存储式光电导器件。

2.按权利要求1制备方法得到的一种WSe2/SSEG PN结的自激发可存储式光电导器件。