1.一种超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片的制备方法，包括以下步骤：(1)将事先裁好的ITO导电玻璃分别用分析纯丙酮、分析纯乙醇和二次水各超声清洗

3min，并置于50℃烘箱中烘干；将烘干后洁净的ITO置于巯基硅烷的乙醇溶液中浸泡，并用分析纯乙醇和二次水冲洗，置于50℃烘箱中烘干，待用；

(2)将1mol/L的HNO3水溶液与1％的HAuCl4水溶液按照体积比为9：1的比例混合均匀，得到电沉积液；以ITO、铂片电极、银氯化银电极分别作为工作电极、对电极与参比电极，置于上述的电沉积液中电沉积得到具有树枝状纳米金修饰ITO芯片，取出后用清水洗干净，再用氮气吹干；

(3)将步骤(2)制备好的树枝状纳米金修饰ITO芯片置于烘箱中热处理，其表面变为超疏水；

(4)利用激光刻蚀机在芯片表面刻蚀8个微阵列圆弧，得到超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片；

其特征在于步骤(3)所述的热处理温度为120℃，时间为3h。