1.一种碳化硅固态断路器零电流软关断跳闸拓扑，其特征在于，所述拓扑包括电力二极管D1与电阻R1、电感L1构成的泄放回路，其中电力二极管D1的负极与电阻R1连接，电力二极管D1的正极与电感L1连接，用于泄放电感L1中的能量；

电力二极管D2、电阻R2、电容C1构成的泄放回路，其中电力二极管D2负极与电容C1一端连接，电容C1的另一端与电阻R2连接，电力二极管D2的正极与电阻R2连接；用于泄放电容C1中的能量；

电力二极管D3、D4、D5、D6构成的桥式电路，其中电力二极管D3负极与电力二极管D4负极连接，电力二极管D3正极与电力二极管D5负极连接，电力二极管D4正极与电力二极管D6负极连接，电力二极管D5正极与电力二极管D6正极连接，用于双向导通电源侧与负荷侧的电流；

MOV电阻、电容C2和电阻R2构成的旁路分支，其中电容C2一端同时与MOV电阻、电阻R2的一端连接，电容C2另一端同时与MOV电阻、电阻R2另一端连接，用于隔离故障电流；

电源、电阻R1、电阻R2、二极管D3、主开关S1、电容C1构成的自充电回路，其中电源正极与电力二极管D3正极连接，电力二极管D3负极与主开关S1漏极连接，主开关S1源极与电阻R1一端连接，电阻R1另一端与电容C1一端连接，电容C1另一端与电阻R2一端连接，电阻R2另一端与电源负极连接；用于向电容C1进行充电；

电阻Rfault，所述电阻Rfault一端与电力二极管D1负极连接，另一端与电力二极管D2正极连接，用于模拟故障发生时的线路和负荷状态；

电感L1、电容C1、主开关S1、电力二极管D1、辅助开关S2构成的TCCI辅助回路，其中主开关S1源极与电力二极管D1负极连接，电力二极管D1与电感L1一端连接，电感L1另一端与电容C1一端连接，电容C1另一端与辅助开关S2源极连接，辅助开关S2漏极与主开关S1漏极连接，用于使主开关S1流过反向电流。

2.根据权利要求1所述的碳化硅固态断路器零电流软关断跳闸拓扑，其特征在于，所述电容C1向电感L1、电容C1、主开关S1、辅助开关S2构成的TCCI辅助回路注入反向电流。

3.根据权利要求1所述的碳化硅固态断路器零电流软关断跳闸拓扑，其特征在于，主开关S1为常通型SiC JFET；辅助开关S2为常闭型SiC MOSFET。

4.一种如权利要求1‑3任一项所述的碳化硅固态断路器零电流软关断跳闸拓扑控制方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、采样系统中的故障电流；

S2、判断故障电流是否超过断路器保护阈值，若故障电流未超过保护阈值，则重新采样；

S3、当故障电流超过保护阈值，导通S2，TCCI辅助回路产生反向电流流过主开关S1；

S4、软关断S1；C1进行反向充电，故障电流强制分流辅助开关S2和电容C2构成的回路，然后C2开始充电，直到C2两端电压达到MOV的钳位电压，MOV开始导通最终故障电流被隔离；

S5、当故障被完全隔离后，关断S2完成固态断路器软关断跳闸，C1和C2中剩余的能量通过R2进行泄放。

5.根据权利要求4所述的碳化硅固态断路器零电流软关断跳闸拓扑控制方法，其特征在于，所述S2中，故障电流未超过断路器的保护阈值时，主开关S1和电阻R1构成的回路正常导通，电容器C1充电。