1.一种三金属MOF纳米片阵列的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

1）配置前驱体溶液：将三种含有不同金属离子的金属化合物和有机配体溶于水中，混合均匀得到前驱体溶液；

2）纳米片阵列合成：将经过预处理的导电基底置于前驱体溶液中，对其进行水热处理，水热处理结束后即在导电基底表面合成三金属MOF纳米片阵列；

所述金属离子为钼离子以及镍离子、锰离子、铁离子、锌离子和钴离子中的任意两种；

步骤1）所述前驱体溶液中，三种含有不同金属离子的金属化合物总浓度为0.05～

0.5mol/L；

步骤1）所述前驱体溶液中，有机配体浓度为0.05～0.5mol/L；

步骤2）所述水热处理的条件为：水热温度为115～125℃，水热时长为7.5～8.5h；

步骤1）所述有机配体为2‑甲基咪唑；

所述含钼离子的金属化合物为三氧化钼。

2.根据权利要求1所述的一种三金属MOF纳米片阵列的制备方法，其特征在于，步骤1）所述前驱体溶液中，三种金属离子的摩尔比为（0.8～1.2）：（0.8～1.2）：（0.8～

1.2）；

步骤1）所述前驱体溶液中，三种金属离子的总摩尔浓度与有机配体的摩尔浓度比为（1～5）：（1～5）。

3.根据权利要求1所述的一种三金属MOF纳米片阵列的制备方法，其特征在于，步骤2）所述导电基底包括金属铜、金属镍、金属钛、石墨烯。