1.一种Cu3Mo2O9纳米片阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）按照质量份数计，将1份的钼酸钠、0.1 0.4份的聚乙烯吡咯烷酮和1 3份铜源溶于60~ ~份的去离子水中，得到混合溶液A；

2）将混合溶液A搅拌均匀后，在超声条件下，反应0.5 1 h，过滤、水洗、干燥，得到产物~B；

3）按照质量份数计，将1份的产物B和0.1 0.4份的3‑（二丁氨基）苯酚溶于60份的去离~子水中，室温搅拌1 3 h，过滤、水洗、干燥，得到产物C；

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4）将产物C在500 700℃下煅烧3 h，得到Cu3Mo2O9纳米片阵列。

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2.根据权利要求1所述的Cu3Mo2O9纳米片阵列的制备方法，其特征在于，在步骤2）中，超声功率为70 100 W。

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3.根据权利要求1所述的Cu3Mo2O9纳米片阵列的制备方法，其特征在于，在步骤2）中，超声条件由超声波发生器提供。

4.根据权利要求1所述的Cu3Mo2O9纳米片阵列的制备方法，其特征在于，在步骤2）中，水洗3 6次。

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5.根据权利要求1所述的Cu3Mo2O9纳米片阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤2）中，干燥温度为 60 80 ℃，干燥时间为6 10小时。

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6.根据权利要求1所述的Cu3Mo2O9纳米片阵列的制备方法，其特征在于，在步骤3）中，水洗3 6次。

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7.根据权利要求1所述的Cu3Mo2O9纳米片阵列的制备方法，其特征在于，在步骤3）中，干燥温度为 60 80 ℃，干燥时间为6 10小时。

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8.权利要求1 7任一项所述方法制备得到的Cu3Mo2O9纳米片阵列。

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9.根据权利要求8所述的Cu3Mo2O9纳米片阵列，其特征在于，呈纳米片阵列状多级结构，纳米片厚度为30 50 nm。

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