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专利号: 2021112852642
申请人: 深圳市鸿途科技服务有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2024-10-29
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种Cu3Mo2O9纳米片阵列的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)按照质量份数计,将1份的钼酸钠、0.1 0.4份的聚乙烯吡咯烷酮和1 3份铜源溶于60~ ~份的去离子水中,得到混合溶液A;

2)将混合溶液A搅拌均匀后,在超声条件下,反应0.5 1 h,过滤、水洗、干燥,得到产物~B;

3)按照质量份数计,将1份的产物B和0.1 0.4份的3‑(二丁氨基)苯酚溶于60份的去离~子水中,室温搅拌1 3 h,过滤、水洗、干燥,得到产物C;

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4)将产物C在500 700℃下煅烧3 h,得到Cu3Mo2O9纳米片阵列。

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2.根据权利要求1所述的Cu3Mo2O9纳米片阵列的制备方法,其特征在于,在步骤2)中,超声功率为70 100 W。

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3.根据权利要求1所述的Cu3Mo2O9纳米片阵列的制备方法,其特征在于,在步骤2)中,超声条件由超声波发生器提供。

4.根据权利要求1所述的Cu3Mo2O9纳米片阵列的制备方法,其特征在于,在步骤2)中,水洗3 6次。

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5.根据权利要求1所述的Cu3Mo2O9纳米片阵列的制备方法,其特征在于,所述步骤2)中,干燥温度为 60 80 ℃,干燥时间为6 10小时。

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6.根据权利要求1所述的Cu3Mo2O9纳米片阵列的制备方法,其特征在于,在步骤3)中,水洗3 6次。

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7.根据权利要求1所述的Cu3Mo2O9纳米片阵列的制备方法,其特征在于,在步骤3)中,干燥温度为 60 80 ℃,干燥时间为6 10小时。

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8.权利要求1 7任一项所述方法制备得到的Cu3Mo2O9纳米片阵列。

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9.根据权利要求8所述的Cu3Mo2O9纳米片阵列,其特征在于,呈纳米片阵列状多级结构,纳米片厚度为30 50 nm。

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