1.一种耐高温海洋环境腐蚀的金属‑金属氮化物多层涂层的制备方法，其特征在于，耐高温海洋环境腐蚀的金属/金属氮化物多层涂层，由Ti子层和TiN子层交替沉积在Ti6Al4V钛合金基体上形成的，靠近基体和最上层均为TiN层，每个TiN子层厚度为2.0μm，每个Ti子层厚度为0.1μm，总层数为17层；

上述耐高温海洋环境腐蚀的金属/金属氮化物多层涂层的制备方法，具体包括如下步骤：

（1）基体的清洗

首先将Ti6Al4V钛合金基体研磨、抛光处理后，放入丙酮和乙醇按体积比1：2混合的溶液中，利用15 20kHz超声波清洗10 15min，取出吹干；然后利用离子镀设备进行离子轰击清~ ~

洗，将处理好的Ti6Al4V钛合金基体悬挂在样品架上，放入离子镀真空腔室内，关闭室门，抽‑3

真空至真空度为7.0×10 Pa后，通入Ar，维持真空度在0.5Pa，基体施加负偏压值为950V，占空比为30%，对基体进行3min离子轰击清洗；

（2）交替沉积TiN子层和Ti子层

待步骤（1）离子轰击清洗结束后，切断Ar，通入N2，维持真空度气压在1.4Pa，基体脉冲负偏压值控制在600V，打开阴极Ti靶电流，设置为60A，开始TiN子层的沉积，时间为18.5min，占空比设置为20%，样品架保持自转，速度保持3rpm，所得子层中Ti:N原子比=1:1；然后沉积Ti子层，保持Ti靶电流70A不变，关闭N2，通入Ar，控制气压在0.2Pa左右，基体负偏压值改为

100V，沉积时间控制在2min，占空比设置为20%，样品架保持5rpm的自转速度；在以后的沉积过程中TiN子层和Ti子层依次交替沉积；待最后一层Ti子层沉积完毕后，再沉积一层TiN作为最外层；基体加热温度为300℃±20℃，阴极靶材与Ti6Al4V钛合金基体距离为17cm，Ti靶纯度为99.99wt%，Ti靶直径80mm、高度55mm。

2.一种耐高温海洋环境腐蚀的金属‑金属氮化物多层涂层的制备方法，其特征在于，耐高温海洋环境腐蚀的金属/金属氮化物多层涂层，由Ti子层和TiN子层交替沉积在Ti6Al4V钛合金基体上形成的，靠近基体和最上层均为TiN层，每个TiN子层厚度为2.0μm，每个Ti子层厚度为0.2μm，总层数为15层；

上述耐高温海洋环境腐蚀的金属/金属氮化物多层涂层的制备方法，具体包括如下步骤：

（1）基体的清洗

首先将Ti6Al4V钛合金基体研磨、抛光处理后，放入丙酮和乙醇按体积比1：2.5混合的溶液中，利用15 20kHz超声波清洗10 15min，取出吹干；然后利用离子镀设备进行离子轰击~ ~

清洗，将处理好的Ti6Al4V钛合金基体悬挂在样品架上，放入离子镀真空腔室内，关闭室门，‑3

抽真空至真空度为8.5×10 Pa后，通入Ar，维持真空度在0.5Pa，基体施加负偏压值为950V，占空比为40%，对基体进行5min离子轰击清洗；

（2）交替沉积TiN子层和Ti子层

待步骤（1）离子轰击清洗结束后，切断Ar，通入N2，维持真空度气压在1.5Pa，基体脉冲负偏压值控制在580V，打开阴极Ti靶电流，设置为65A，开始TiN子层的沉积，19min，占空比设置为25%，样品架保持自转，速度保持4rpm，所得子层中元素比Ti:N原子比=1:1；然后沉积Ti子层，保持Ti靶电流65A不变，关闭N2，通入Ar，控制气压在0.3Pa左右，基体负偏压值改为

80V，沉积时间控制在2.5min，占空比设置为25%，样品架保持4rpm的自转速度；在以后的沉积过程中TiN子层和Ti子层依次交替沉积；待最后一层Ti子层沉积完毕后，再沉积一层TiN作为最外层；基体加热温度为300℃±20℃，阴极靶材与Ti6Al4V钛合金基体距离为18cm，Ti靶纯度为99.99wt%，Ti靶直径90mm、高度55mm。

3.一种耐高温海洋环境腐蚀的金属‑金属氮化物多层涂层的制备方法，其特征在于，耐高温海洋环境腐蚀的金属/金属氮化物多层涂层，由Ti子层和TiN子层交替沉积在Ti6Al4V钛合金基体上形成的，靠近基体和最上层均为TiN层，每个TiN子层厚度为1.9μm，每个Ti子层厚度为0.3μm，总层数为15层；

上述耐高温海洋环境腐蚀的金属/金属氮化物多层涂层的制备方法，具体包括如下步骤：

（1）基体的清洗

首先将Ti6Al4V钛合金基体研磨、抛光处理后，放入丙酮和乙醇按体积比1：3混合的溶液中，利用15 20kHz超声波清洗10 15min，取出吹干；然后利用离子镀设备进行离子轰击清~ ~

洗，将处理好的Ti6Al4V钛合金基体悬挂在样品架上，放入离子镀真空腔室内，关闭室门，抽‑3

真空至真空度为9.0×10 Pa后，通入Ar，维持真空度在0.4Pa，基体施加负偏压值为900V，占空比为50%，对基体进行7min离子轰击清洗；

（2）交替沉积TiN子层和Ti子层

待步骤（1）离子轰击清洗结束后，切断Ar，通入N2，维持真空度气压在1.6Pa，基体脉冲负偏压值控制在560V，打开阴极Ti靶电流，设置为70A，开始TiN子层的沉积，19.5min，占空比设置为25%，样品架保持自转，速度保持5rpm，所得子层中Ti:N原子比=1:1；然后沉积Ti子层，保持Ti靶电流70A不变，关闭N2，通入Ar，控制气压在0.4Pa左右，基体负偏压值改为70V，沉积时间控制在3.5min，占空比设置为25%，样品架保持5rpm的自转速度；在以后的沉积过程中TiN子层和Ti子层依次交替沉积；待最后一层Ti子层沉积完毕后，再沉积一层TiN作为最外层；基体加热温度为300℃±20℃，阴极靶材与Ti6Al4V钛合金基体距离为19cm，Ti靶纯度为99.99wt%，Ti靶直径100mm、高度55mm。