1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底表面形成复合结构，所述复合结构包括若干层复合层，若干层所述复合层沿基底表面法线方向重叠，每一层复合层包括第一材料层以及位于第一材料层表面的第二材料层，且第一材料层的材料和第二材料层的材料不同；

形成贯穿所述复合结构的第一开口，所述第一开口暴露出基底表面；

对所述第一开口暴露出的一层或多层第二材料层侧壁进行刻蚀，在所述复合结构内形成一个或多个第一凹槽，所述第一凹槽相对于第一开口的侧壁表面凹陷，且若干第一凹槽与所述第一开口连通；

在所述第一开口和第一凹槽内形成第一互联结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口的形成方法包括：在所述复合结构表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出部分复合结构表面；以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述复合结构，直至暴露出基底表面，形成所述第一开口。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一互联结构的形成方法包括：在所述第一开口内、第一凹槽内以及复合结构表面形成第一导电材料膜；平坦化所述第一导电材料膜，直至暴露出复合结构顶部表面，形成所述第一互联结构。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一材料层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二材料层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述第一互联结构之后，在第一互联结构和复合结构表面形成第二互联结构。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二互联结构的形成方法包括：在所述第一互联结构和复合结构表面形成介质层；图形化所述介质层，直至暴露出第一互联结构顶部表面，在所述介质层内形成第五开口和第四凹槽，所述第四凹槽位于所述第五开口顶部，且所述第四凹槽的底部与所述第五开口的顶部连通，且所述第五开口暴露出部分第一互联结构表面；在所述第五开口内、第四凹槽内、以及介质层表面形成第二导电材料膜；平坦化所述第二导电材料膜，直至暴露出介质层表面，在所述第五开口和第四凹槽内形成第二互联结构。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，图形化所述介质层的方法包括：在所述介质层表面形成第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露出部分所述介质层表面；以所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述介质层，直至暴露出第一互联结构顶部表面，形成过渡开口；在所述过渡开口内形成第一填充层；在所述第一填充层和介质层表面形成第三掩膜层，所述第三掩膜层暴露出所述第一填充层和部分所述介质层；以所述第三掩膜层为掩膜，刻蚀所述介质层和第一填充层，在介质层内形成第四凹槽；去除所述第四凹槽底部的第一填充层，形成第五开口；在形成第四凹槽和第五开口之后，去除所述第三掩膜层。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成贯穿所述复合结构的第二开口，且所述第二开口暴露出基底表面；对所述第二开口暴露出的一层或多层第二材料层侧壁进行刻蚀，在所述复合结构内形成一个或多个第二凹槽，所述第一凹槽相对于第二开口的侧壁表面凹陷，且若干第二凹槽与所述第二开口连通；在所述第二开口和第二凹槽内形成第三互联结构。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述复合结构内形成第三开口，所述第三开口底部到基底表面之间具有一层或多层所述复合层；在所述第三开口内形成绝缘层；形成自所述绝缘层顶部表面贯穿至所述基底表面的第四开口；对所述第四开口暴露出的一层或多层第二材料层侧壁进行刻蚀，在所述复合结构内形成一个或多个第三凹槽，所述第三凹槽相对于第四开口的侧壁表面凹陷；在所述第四开口和第三凹槽内形成第四互联结构。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用一次或多次图形化工艺形成所述第三开口；每一次所述图形化工艺包括：在所述复合结构的部分表面形成图形化层；以所述图形化层为掩膜，刻蚀一层复合层或多层所述复合层。

12.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的形成方法包括：在所述第三开口内以及复合结构表面形成绝缘材料膜；平坦化所述绝缘材料膜，直至暴露出复合结构顶部表面，在所述第三开口内形成绝缘层。