1.一种图像传感器的隔离结构，所述图像传感器包括第一像素区和第二像素区，其特征在于，包括：沟槽隔离结构，位于半导体衬底内的第一像素区和第二像素区之间；

PNP型隔离区，位于所述沟槽隔离结构底部与所述半导体衬底底部之间，包括与所述第一像素区邻接的第一P型区、与所述第二像素区邻接的第二P型区、以及位于所述第一P型区与第二P型区之间的N型区。

2.如权利要求1所述的隔离结构，其特征在于，所述第一像素区为有源像素区，所述第二像素区为黑色像素区。

3.如权利要求1所述的隔离结构，其特征在于，所述N型区与电源节点相连接。

4.如权利要求1所述的隔离结构，其特征在于，所述沟槽隔离结构与所述PNP型隔离区的宽度一致。

5.如权利要求1所述的隔离结构，其特征在于，所述沟槽隔离结构为深沟槽隔离结构，包括：深沟槽，形成在所述半导体衬底内；氧化层，形成在所述深沟槽侧壁及底部；绝缘介质，填满所述深沟槽。

6.一种图像传感器，其特征在于，包括：

半导体衬底；

权利要求1至5任一项所述的隔离结构；

光电二极管，分立排列在所述半导体衬底内的第一像素区和第二像素区。

7.如权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，还包括：遮光金属，位于所述半导体衬底上且遮挡所述第二像素区的光电二极管。

8.一种图像传感器的隔离结构的形成方法，所述图像传感器包括第一像素区和第二像素区，其特征在于，包括：提供半导体衬底；

在所述半导体衬底内的第一像素区和第二像素区之间形成P型区；

在所述P型区内形成N型区，以将所述P型区分隔成第一P型区和第二P型区，所述第一P型区邻接所述第一像素区，所述第二P型区邻接所述第二像素区；

在所述半导体衬底内的第一像素区和第二像素区之间形成沟槽隔离结构，以去除部分所述第一P型区、第二P型区和N型区。

9.如权利要求8所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，所述在所述半导体衬底内的第一像素区和第二像素区之间形成沟槽隔离结构包括：在所述半导体衬底内的第一像素区和第二像素区之间形成深沟槽；

在所述深沟槽侧壁及底部形成氧化层；

在所述深沟槽中填满绝缘介质。

10.如权利要求8所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第一像素区为有源像素区，所述第二像素区为黑色像素区。

11.如权利要求8所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，还包括：将所述N型区与电源节点连接。

12.如权利要求8所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，采用离子注入工艺形成所述P型区和N型区。

13.一种图像传感器的制造方法，所述图像传感器包括第一像素区和第二像素区，其特征在于，包括：提供半导体衬底；

在所述半导体衬底内的第一像素区和第二像素区形成分立排列的光电二极管；

采用权利要求8至12任一项所述的方法形成隔离结构。

14.如权利要求13所述的图像传感器的制造方法，其特征在于，还包括：在所述半导体衬底上形成遮光金属，以遮挡所述第二像素区的光电二极管。