1.一种隔离结构，分立排列在半导体衬底上，其特征在于，包括：位于所述半导体衬底上的相移层，所述相移层的材料为MoSi或MoSizOxNy；

位于所述相移层上的金属栅格，所述金属栅格包括位于所述相移层上的金属层，所述相移层宽于所述金属栅格。

2.如权利要求1所述的隔离结构，其特征在于，所述金属栅格还包括位于所述金属层上的介质层和位于所述介质层上的钝化层。

3.一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有分立的光电二极管和沟槽隔离结构，所述光电二极管位于所述沟槽隔离结构之间；

权利要求1至2任一项所述的隔离结构，所述隔离结构对应于所述沟槽隔离结构；

滤光层，位于所述隔离结构之间。

4.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，还包括：微透镜，位于所述滤光层上。

5.一种隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上沉积相移材料；

在所述相移材料上沉积金属材料；

依次刻蚀所述金属材料和相移材料，形成分立排列的隔离结构，所述隔离结构包括相移层和位于相移层上的金属层，所述相移层宽于所述金属层，所述相移层的材料为MoSi或MoSizOxNy。

6.如权利要求5所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，沉积相移材料采用化学气相沉积工艺，所述相移材料为MoSi，反应气体包括含Mo的反应气体和含Si的反应气体，其中，含Mo的反应气体包括MoCl4、MoCl5或MoF6，含Si的反应气体包括SiCl4或SiH4，反应温度为700℃～1400℃。

7.如权利要求5所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，在依次刻蚀所述金属材料和相移材料前，还包括：在所述金属材料上依次沉积介质材料和钝化材料；依次刻蚀所述钝化材料和介质材料，形成钝化层和介质层。

8.如权利要求5至7任一项所述的隔离结构的形成方法，刻蚀所述相移材料采用干法刻蚀工艺，刻蚀气体包括NF3、CCl4或HCl。

9.一种图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：权利要求6至8任一项所述的隔离结构的形成方法，所述半导体衬底内形成有分立的光电二极管和沟槽隔离结构，所述光电二极管位于所述沟槽隔离结构之间，所述隔离结构对应于所述沟槽隔离结构；

在所述隔离结构之间形成滤光层。