1.一种图像传感器，其特征在于，包括：形成有光电二极管的半导体基板，所述半导体基板包含不同的像素区域，所述像素区域包括白色像素区域；

位于所述半导体基板上的绝缘结构；

贯穿所述绝缘结构，并且部分覆盖所述白色像素区域光电二极管的有机光电二极管；

位于所述绝缘结构上并且部分覆盖所述绝缘结构的遮光膜；

位于绝缘结构上对应不同像素的滤色层，所述滤色层包括白色滤色层，所述遮光膜隔离所述不同像素的滤色层；

位于滤色层上方的微透镜。

2.如权利要求1所述图像传感器，其特征在于，所述遮光膜为具有遮光效果的金属材料。

3.如权利要求1所述图像传感器，其特征在于，所述遮光膜材料为钨、铝或铜。

4.如权利要求1所述图像传感器，其特征在于，所述绝缘结构为一层以上介质层形成的堆栈结构。

5.如权利要求4所述图像传感器，其特征在于，所述的绝缘结构包含高介电常数材料层，抗反射层以及粘附介质层中的一种以上。

6.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：提供形成有光电二极管的半导体基板，所述半导体基板包含不同的像素区域，所述像素区域包括白色像素区域；

在所述半导体基板上形成绝缘结构；

形成贯穿所述绝缘结构，并且部分覆盖所述白色像素区域光电二极管的有机光电二极管；

在所述绝缘结构上形成部分覆盖所述绝缘结构的遮光膜；

在绝缘结构上形成对应不同像素的滤色层，所述滤色层包括白色滤色层，所述遮光膜隔离所述不同像素的滤色层；

在各像素区域对应位置的滤色层上方形成微透镜。

7.如权利要求6所述图像传感器的制作方法，其特征在于，所述遮光膜为具有遮光效果的金属材料。

8.如权利要求7所述图像传感器的制作方法，其特征在于，所述遮光膜材料为钨、铝或铜。

9.如权利要求6所述图像传感器的制作方法，其特征在于，所述绝缘结构为一层以上介质层形成的堆栈结构。

10.如权利要求9所述图像传感器的制作方法，其特征在于，所述的绝缘结构包含高介电常数材料层，抗反射层以及粘附介质层中的一种以上。