1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：形成有一个以上光电二极管的半导体基板，所述半导体基板包含不同的像素区域，所述光电二极管对应于不同的像素区域；

位于半导体基板上的绝缘膜；

部分覆盖所述绝缘膜并且隔离所述不同的像素区域的第一遮光层；

覆盖所述第一遮光层和绝缘膜的粘附膜；

部分覆盖所述粘附膜并与各光电二极管的位置对应的滤色层，所述各滤色层之间通过第一遮光层和粘附膜形成的复合结构隔离；

位于所述复合结构上的吸光层；

位于各滤色层上的微透镜，所述吸光层完全隔离所述微透镜。

2.如权利要求1所述背照式图像传感器，其特征在于，所述第一遮光层为具有遮光效果的金属材料。

3.如权利要求2所述背照式图像传感器，其特征在于，所述第一遮光层材料为钨、铝或铜。

4.如权利要求1所述背照式图像传感器，其特征在于，所述第一遮光层厚度与滤色层厚度相等。

5.如权利要求1所述背照式图像传感器，其特征在于，所述的吸光层为含有炭黑或钛黑材料的光敏树脂。

6.如权利要求1所述背照式图像传感器，其特征在于，所述的吸光层包括：形成在所述复合结构上的金属遮光材料层；覆盖所述金属遮光材料层的中间粘结层；以及覆盖所述中间粘结层的外部吸光层。

7.如权利要求6所述背照式图像传感器，其特征在于，所述金属遮光材料层材料为钨、铝或铜。

8.如权利要求6所述背照式图像传感器，其特征在于，所述中间粘结层为丙烯酸树脂、酚醛树脂、硅氧烷树脂、环氧树脂或这些树脂的共聚物树脂。

9.如权利要求6所述背照式图像传感器，其特征在于，所述外部吸光层为含有炭黑或钛黑材料的光敏树脂。

10.如权利要求1所述背照式图像传感器，其特征在于，所述粘附膜为丙烯酸树脂、酚醛树脂、硅氧烷树脂、环氧树脂或这些树脂的共聚物树脂。

11.一种如权利要求1至10中任一项所述背照式图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：提供形成有一个以上光电二极管的半导体基板，所述半导体基板包含不同的像素区域，所述光电二极管对应于不同的像素区域；

在所述半导体基板上依次形成绝缘膜以及第一遮光层，所述第一遮光层部分覆盖所述绝缘膜并且隔离所述不同的像素区域；

在绝缘膜以及第一遮光层表面形成粘附膜；

在粘附膜上形成与各光电二极管的位置对应的滤色层，所述第一遮光层和粘附膜形成的复合结构完全隔离所述滤色层；

在所述复合结构上形成吸光层；

在各滤色层上形成微透镜，所述吸光层完全隔离所述微透镜。

12.如权利要求11所述背照式图像传感器的制作方法，其特征在于，形成第一遮光层的方法包括：在绝缘膜上沉积遮光材料；

对所述遮光材料进行选择性刻蚀，去除与光电二极管位置对应的部分遮光材料，形成隔离所述不同的像素区域的第一遮光层。

13.如权利要求11所述背照式图像传感器的制作方法，其特征在于，形成所述吸光层的方法包括：采用涂布工艺在所述粘附膜和滤色层上形成吸光层材料；

采用蚀刻工艺去除部分吸光层材料，仅保留位于所述复合结构上的吸光层材料，形成所述吸光层。

14.如权利要求11所述背照式图像传感器的制作方法，其特征在于，形成所述吸光层的方法包括：在所述复合结构上形成金属遮光材料层；

在所述金属遮光材料层上形成覆盖所述金属遮光材料层的中间粘结层；

在所述中间粘结层上形成覆盖所述中间粘结层的外部吸光层。