1.一种热敏薄膜，其特征在于，由ZnOx材料制成，其中x的取值范围是0.7~0.95。

2.根据权利要求1所述的热敏薄膜，其特征在于，所述热敏薄膜的厚度为50  300 nm。

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3.根据权利要求1所述的热敏薄膜，其特征在于，在25 ℃时，所述热敏薄膜的方阻为5 

500 KΩ/□。

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4.根据权利要求1所述的热敏薄膜，其特征在于，在25 ℃时，所述热敏薄膜的电阻温度系数为-1.5  -3.5%/K。

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5.根据权利要求1至4中任一项所述的热敏薄膜，其特征在于，在所述热敏薄膜上还覆盖有绝缘材料制成的钝化膜。

6.根据权利要求5所述的热敏薄膜，其特征在于，所述钝化膜的厚度为20  50 nm。

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7.根据权利要求5所述的热敏薄膜，其特征在于，所述绝缘材料为SiC、Si3N4、SiO2、TiN或TiO2。

8.一种如权利要求1至7中任一项所述的热敏薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将干燥清洁的基片放入直流反应磁控溅射炉中，抽本底真空至1×10-3 Pa，期间，将基片升温至100   350 ℃；

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S2：使用挡板挡住基片，对金属锌靶材进行预溅射；

S3：移开挡板，在基片上通过反应溅射沉积厚度为50 ~300 nm的ZnOx薄膜；

S4：同时关闭氧气流量、氩气流量以及溅射电流；

S5：待直流反应磁控溅射炉内稳定，本底真空至1.0×10-3  1.5×10-3 Pa后，对所述~ZnOx薄膜进行退火处理；

S6：经过退火处理得到ZnOx薄膜在高真空或氧气氛围下降至室温即得热敏薄膜，取出备用。

9.根据权利要求8所述的热敏薄膜的制备方法，其特征在于，在所述S2中，预溅射时，氩气流量为60  140 sccm，溅射电流为0.2 0.5 A，预溅射时间为10  20 min。

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10.根据权利要求8所述的热敏薄膜的制备方法，其特征在于，在所述S3中，溅射时的工作压强为0.5 2.0 Pa、氧氩气流量比例为5 15%、溅射温度为100  350 ℃、溅射电流为0.2~ ~ ~ ~

0.5 A、溅射时间为10  50 min。

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11.根据权利要求8所述的热敏薄膜的制备方法，其特征在于，在所述S5中，退火处理时的退火氛围为真空下1.0×10-3  1.5×10-3 Pa或氧氛围下0.1  1 Pa，退火温度为200 ~ ~ ~

400 ℃，保温时间为30  120 min。

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12.根据权利要求8所述的热敏薄膜的制备方法，其特征在于，在所述S6中，所述高真空为1.0×10-3  1.5×10-3 Pa，所述氧气氛围为0.1  1 Pa。

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13.根据权利要求8至12中任一项所述的热敏薄膜的制备方法，其特征在于，在所述S6之后，还在所述热敏薄膜上沉积绝缘材质的、厚度为20  50 nm的钝化膜。

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14.一种如权利要求1至7中任一项所述的热敏薄膜在非制冷红外微测辐射热计中的应用。