1.一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC‑LIGBT器件，其特征在于，所述复合型RC‑LIGBT器件包括L型SiO2隔离层(16)、LDMOS区(S1)、LIGBT区(S2)、集电极(7)以及共用的有源区；

所述复合型RC‑LIGBT器件被所述L型SiO2隔离层(16)分割形成左上区域的LDMOS区(S1)以及右下区域的LIGBT区(S2)；

所述共用的有源区包括源极(4)、栅极(2)、栅氧化层(3)、介质隔离层(10)和衬底(11)，所述栅氧化层(3)位于所述源极(4)与所述L型SiO2隔离层(16)的水平末端之间，所述栅氧化层(3)完全包围所述栅极(2)。

2.根据权利要求1所述一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC‑LIGBT器件，其特征在于，所+

述LDMOS区(S1)包括从左至右设置的P‑body的重掺杂P区(13)、轻掺杂P区(5)、矩形N‑漂移+

区(6)、弧形N‑buffer区(9)以及N‑Collector区(12)；其中P‑body的重掺杂P区(13)与源极(4)相连。

3.根据权利要求2所述一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC‑LIGBT器件，其特征在于，所述LDMOS区(S1)还包含N+电子发射极(1)，所述N+电子发射极(1)左面与源极(4)接触，上面+

与P‑body的重掺杂P区(13)接触，右面与轻掺杂P区(5)接触，下面与栅氧化层(3)接触。

4.根据权利要求1所述一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC‑LIGBT器件，其特征在于，所+

述LIGBT区(S2)的水平方向从左至右依次设置有P‑body的重掺杂P区(13)、轻掺杂P区(5)、+

L型N‑漂移区(15)，其中P‑body的重掺杂P区(13)与源极(4)相连。

5.根据权利要求4所述一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC‑LIGBT器件，其特征在于，所述LIGBT区(S2)还包括N+电子发射极(1)，所述N+电子发射极(1)左面与源极(4)接触，上面+

与栅氧化层(3)接触，右面与轻掺杂P区(5)接触，下面与P‑body的重掺杂P区(13)接触。

6.根据权利要求4所述一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC‑LIGBT器件，其特征在于，所述LIGBT区(S2)的还包括设置在所述L型N‑漂移区(15)竖直端上方的N‑buffer区(14)以及位于N‑buffer区(14)上方的P‑Collector区(8)。

7.根据权利要求1所述一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC‑LIGBT器件，其特征在于，所述集电极(7)下部从左到右依次与N‑Collector区(12)、L型SiO2隔离层(16)竖直端以及P‑Collector区(8)接触。