1.一种超硬半导体性非晶碳块体材料制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将C60富勒烯预制成柱状坯体；

(2)将得到的柱状坯体装入六方氮化硼坩埚中，再装入高温高压组装块中；

(3)将组装块置于高温高压合成设备中进行高温高压处理；

(4)处理完成后得到超硬半导体性非晶碳块体材料。

2.根据权利要求1所述的超硬半导体性非晶碳块体材料的制备方法，其特征在于，所述C60富勒烯为高纯粉末。

3.根据权利要求1所述的超硬半导体性非晶碳块体材料的制备方法，其特征在于，所述柱状坯体为直径1.2或2mm、高2.3mm的圆柱坯体。

4.根据权利要求1所述的超硬半导体性非晶碳块体材料的制备方法，其特征在于，所述高温高压组装块为标准8/3的高温高压组装块或标准10/5的高温高压组装块。

5.根据权利要求1所述的超硬半导体性非晶碳块体材料的制备方法，其特征在于，所述高温高压合成设备为T25超高压温合成装置。

6.根据权利要求1所述的超硬半导体性非晶碳块体材料的制备方法，其特征在于，优选地，所述高温高压处理的温度为500-2000℃，压力为8-25GPa，保温时间为10-120分钟。

7.根据权利要求6所述的超硬半导体性非晶碳块体材料的制备方法，其特征在于，更为优选地，所述高温高压处理的温度为1000-1200℃，压力为25GPa，保温时间为120分钟。

8.根据权利要求1所述的超硬半导体性非晶碳块体材料制备方法，其特征在于，所述超硬半导体性非晶碳块体材料的直径为1-1.9mm、高为1.2-1.7mm。

9.一种超硬半导体性非晶碳块体材料，其特征在于，根据权利要求1～8任意一项所述制备方法制备得到。