1.表面改性非晶碳膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1：将清洗后的多极射频消融针的子电极针放入磁控与离子束复合溅射沉积系统的真空室中，真空室抽真空和加热；

S2：刻蚀，通入Ar清洁表面残余氧化层和油污；

S3 ：沉积过渡层，通入Ar，开启Cr溅射靶，在子电极的表面沉积过渡层，金属溅射靶的电流设为2.0‑3.0A，Ar的流量设为40‑50sccm，转速设为1‑3rpm，沉积时间设为10‑12min；

S4 ：沉积掺Cr非晶碳膜一，通入碳源气体，开启Cr溅射靶，通入Ar，在过渡层沉积掺Cr非晶碳膜一，碳源气体的流量设为10‑15sccm，转速设为1‑3rpm，时间设为10‑12min，Cr溅射靶的电流设为1.0‑2.0A，Ar流量设为6‑8sccm，掺Cr非晶碳膜一的厚度设为20‑40nm；

S5：真空室抽真空;

S6：沉积掺Ti非晶碳膜，通入碳源气体，开启Ti溅射靶，通入Ar，在掺Cr非晶碳膜一沉积掺Ti非晶碳膜，碳源气体的流量设为10‑15sccm，转速设为1‑3rpm，时间设为10‑12min，Ti溅射靶的电流设为1.0‑2.0A，Ar流量设为6‑8sccm，掺Ti非晶碳膜的厚度设为20‑40nm；

S7：真空室抽真空；

S8：沉积掺Cr非晶碳膜二，通入碳源气体，开启Cr溅射靶，通入Ar，在掺Ti非晶碳膜沉积掺Cr非晶碳膜二，碳源气体的流量设为10‑15sccm，转速设为1‑3rpm，时间设为20‑25min，Cr溅射靶电流设为1.0‑2.0A，Ar流量设为6‑8sccm，掺Cr非晶碳膜二的厚度设为80‑100nm。

2.根据权利要求1所述的一种表面改性非晶碳膜的制备方法，其特征在于：所述S1中真‑2空室的真空度设为1‑5x10 Pa，将真空室的温度加热至50‑100℃，S5中真空室的真空度设为‑2 ‑2

1‑5x10 Pa，S7中真空室的真空度设为1‑5x10 Pa。

3.根据权利要求1所述的一种表面改性非晶碳膜的制备方法，其特征在于：所述S2中离子源的功率设为550‑650W，Ar的流量设为40‑60sccm，转速设为1‑3rpm，时间为100‑120min。

4.一种表面改性非晶碳膜的消融针,其特征在于：包括子电极，子电极表面由上述权利要求1‑3任一项所述的一种表面改性非晶碳膜的制备方法沉积过渡层和非晶碳膜，非晶碳膜包括多层交替层叠的掺杂非晶碳膜。