1.一种以三维MOF前驱体制备二维超薄MOF纳米片的方法，其特征在于，包含如下步骤：A.前驱体的制备：将层柱式MOF晶体[Cd5(IDC)2(HIDC)(bpy)3(py)2(H2O)3]·2NO3·2H2O进行真空干燥后研磨成粉，得到反应前驱体；

B.纳米片的制备：首先，将步骤A的前驱体粉末置于取代试剂中，室温下进行搅拌10-15天，得到分散的悬浮液；其次，过滤悬浮液，将滤饼置于培养皿中，室温下自然干燥3-5小时，并于真空干燥箱中进一步干燥，即得二维超薄MOF纳米片。

2.按照权利要求1所述的一种以三维MOF前驱体制备二维超薄MOF纳米片的方法，其特征在于，所述步骤A中，真空干燥为真空干燥箱50℃干燥24小时。

3.按照权利要求1所述的一种以三维MOF前驱体制备二维超薄MOF纳米片的方法，其特征在于，所述步骤B中，优选每0.128g前驱体对应取代试剂为30-100ml。

4.按照权利要求1所述的一种以三维MOF前驱体制备二维超薄MOF纳米片的方法，其特征在于，所述步骤B中，取代试剂为4-甲基吡啶、2,6-二甲基吡啶、3,5-二甲基吡啶或2,4,6-三甲基吡啶中的单一成分或混合组分。

5.按照权利要求1所述的一种以三维MOF前驱体制备二维超薄MOF纳米片的方法，其特征在于，所述步骤B中，搅拌速率为400-700rpm。

6.按照权利要求1所述的一种以三维MOF前驱体制备二维超薄MOF纳米片的方法，其特征在于，所述步骤B中，真空干燥温度为50-80℃；真空干燥时间为8-12小时。

7.按照权利要求1所述的一种以三维MOF前驱体制备二维超薄MOF纳米片的方法，其特征在于，所得超薄纳米片表面由疏水的基团或物质覆盖。

8.按照权利要求1所述的一种以三维MOF前驱体制备二维超薄MOF纳米片的方法，其特征在于，通过调整步骤B的搅拌时间调整纳米片的厚度。