1.一种低结温高耐压的GaN异质结场效应晶体管，从下到上依次包括层叠设置的SiC衬底(9)、GaN缓冲层(7)、GaN沟道层(5)、AlGaN势垒层(3)以及AlN钝化层(1)；在AlGaN势垒层(3)两端的上表面，具有欧姆金属源极(11)和欧姆金属漏极(12)，在AlGaN势垒层(3)中部的上表面，具有栅电极(10)，所述栅电极(10)为肖特基接触；其特征在于，所述栅电极(10)正下方的AlGaN势垒层(3)上层，具有AlN势垒区域(2)，且AlN势垒区域(2)还向靠近欧姆金属漏极(12)的一侧延伸；所述AlN势垒区域(2)用于减小沟道中的峰值电场、提高击穿电压并降低沟道温度；

所述SiC衬底(9)和GaN缓冲层(7)之间还具有AlN成核层(8)，AlN成核层(8)用于减小GaN缓冲层(7)与SiC衬底(9)之间因晶格失配而导致的界面张力；

所述GaN缓冲层(7)和GaN沟道层(5)之间具有InGaN背势垒层(6)，InGaN背势垒层(6)用于抑制电流崩塌效应；

所述GaN沟道层(5)和AlGaN势垒层(3)之间具有AlN插入层(4)，AlN插入层(4)与GaN沟道层(5)和AlGaN势垒层(3)一起形成二维电子气沟道。

2.根据权利要求1所述的一种低结温高耐压的GaN异质结场效应晶体管，其特征在于，所述SiC衬底(9)厚度为150um，AlN成核层(8)的厚度为50nm，GaN缓冲层(7)厚度为1.8um，InGaN背势垒层(6)厚度为5‑10nm，GaN沟道层(5)厚度为30‑50nm，AlN插入层(4)厚度为1‑

5nm，AlGaN势垒层(3)厚度为30‑40nm，AlN势垒区域(2)厚度为20nm，长度为0.5um，AlN钝化层(1)厚度为20nm。

3.根据权利要求2所述的一种低结温高耐压的GaN异质结场效应晶体管，其特征在于，所述欧姆金属源极(11)和欧姆金属漏极(12)采用的材料为Ti/Al/Ni/Au合金，或Ti/Al/Ti/Au合金；所述栅电极(10)采用的材料为i/Au合金，或Pd/Au合金。