1.一种在Si衬底上制备InGaN外延层的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

1)在Si衬底上直接生长第一InGaN层；和

2)在所述第一InGaN层上生长第二InGaN层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述Si衬底上，通过金属调制或者高活性N/总金属束流比的生长方式得到所述第一InGaN层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述金属调制的生长包括以下步骤：i)在时间t1中，同时提供In、Ga和N束流；

ii)在时间t2中维持N束流，同时停止提供In、Ga束流；和iii)将步骤i)和ii)重复n次，

其中，

时间t1对应于0.1～2.0个InGaN原子层的沉积，优选对应于0.4～0.7，更优选0.4～0.5个InGaN原子层的沉积；

时间t2对应于2～20秒，优选对应于8～12秒；

n为选自10至30中的整数，优选为选自15至25中的整数。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述高活性N/总金属束流比的生长期间，活性N束流与In/Ga的总金属束流的比率为2或更高，优选为5或更高，最优选为5～10；

优选地，所述第一InGaN层包括5～15个原子层，优选8～12个原子层。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的方法，其特征在于，通过射频活性等离子源或氨持续供应活性N束流。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的方法，其特征在于，通过设置Ga源和In源，来提供Ga和In的金属束流，所述Ga源和所述In源优选分别为纯的Ga和In金属，或者是它们的金属有机物前驱体。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的方法，其特征在于，通过In/Ga束流比的调节，使所述InGaN外延层中的In含量在0～1之间变化，其中当In/Ga的束流比率为0.4或以下时，所述InGaN外延层的In含量为30％或以下，并且优选地，生长温度为600～900℃，更优选为700～750℃；或者当In/Ga的束流比率高于0.4时，所述InGaN外延层的In含量高于30％，并且优选地，生长温度为300～500℃，更优选为420～480℃。

8.根据权利要求1～4所述的方法，其特征在于，通过分子束外延和金属气相沉积方法实现所述InGaN外延层的生长。

9.根据权利要求1～4所述的方法，其特征在于，Ga/In的总金属束流对应于所述InGaN外延层的生长速率为0.1～1μm/h。

10.一种通过权利要求1至9中任一项所述的方法生产的硅基InGaN外延层。