1.一种外延晶片，其特征在于，所述外延晶片包括：Si基底层；

形成于所述Si基底层的绝缘层；

形成于所述绝缘层远离所述Si基底层的一面的氮化物半导体层；

其中，所述绝缘层的厚度构造成允许自由电子通过量子隧穿穿过该绝缘层。

2.根据权利要求1所述的外延晶片，其特征在于，所述绝缘层为SiNx薄膜层。

3.根据权利要求1或2所述的外延晶片，其特征在于，所述绝缘层的厚度为1到4纳米。

4.根据权利要求3所述的外延晶片，其特征在于，所述绝缘层的厚度为2到3纳米。

5.根据权利要求1所述的外延晶片，其特征在于，所述氮化物半导体层为GaN和InN混合制成InGaN层。

6.根据权利要求5所述的外延晶片，其特征在于，所述InGaN层中，In含量在30％到80％之间。

7.根据权利要求6所述的外延晶片，其特征在于，所述InGaN层的导带与所述Si基底层的价带对齐。

8.根据权利要求5所述的外延晶片，其特征在于，InGaN层的厚度在50纳米到2微米之间。

9.根据权利要求5所述的外延晶片，其特征在于，所述InGaN层为具有均匀In含量的均匀层或者具有不同In含量的异质结构层。

10.根据权利要求5所述的外延晶片，其特征在于，所述InGaN层中InN与GaN的含量比例为46:54。

11.根据权利要求1所述的外延晶片，其特征在于，所述Si基底层为P型Si(111)晶片。

12.一种外延晶片制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供一Si基底层；

在所述Si基底层的表面形成绝缘层；

在所述绝缘层远离所述Si基底层的一面上形成氮化物半导体层；

其中，所述绝缘层的厚度构造成允许自由电子通过量子隧穿穿过该绝缘层。

13.根据权利要求12所述的外延晶片制造方法，其特征在于，所述绝缘层为SiNx薄膜层；

形成所述SiNx薄膜层的方式包括分子束外延。

14.根据权利要求12所述的外延晶片制造方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为1到4纳米。

15.根据权利要求14所述的外延晶片制造方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为2到3纳米。

16.根据权利要求12所述的外延晶片制造方法，其特征在于，所述氮化物半导体层为GaN和InN混合制成InGaN层；形成所述InGaN层的方式包括分子束外延。

17.根据权利要求16所述的外延晶片制造方法，其特征在于，所述InGaN层中In含量在

30％到80％之间。

18.根据权利要求12所述的外延晶片制造方法，其特征在于，所述提供一Si基底层包括：提供一P型Si(111)晶片作为所述Si基底层。

19.一种二极管，其特征在于，所述二极管由权利要求1-11任意一项所述的外延晶片制成。

20.一种整流器，其特征在于，所述整流器包括权利要求19所述的二极管。