1.一种InGaN基LED外延片，其特征在于包括：衬底；

InGaN层片，形成于所述衬底的一侧表面，其In含量在40％至90％之间，以确保所述LED外延片能够发射长波长光或近红外射线；

p型金属氧化物层片，形成于所述InGaN层片的背朝所述衬底的一侧表面上，以用作对所述InGaN层片的空穴注入层，其中所述p型金属氧化物层片为Cu2O层片。

2.根据权利要求1所述的InGaN基LED外延片，其特征在于所述InGaN层片为具有单一In含量的均匀层片或具有不同In含量的异质结构层片。

3.根据权利要求1所述的InGaN基LED外延片，其特征在于所述衬底的材料为蓝宝石、Si、SiC和GaN其中之一。

4.根据权利要求1所述的InGaN基LED外延片，其特征在于p型金属氧化物选择为，使其带隙跨越InGaN层片的带隙，以保证所述p型金属氧化物层片的空穴注入效率。

5.一种根据权利要求1所述的InGaN基LED外延片的制备方法，其特征在于包括：提供衬底；

在所述衬底的一侧表面外延生长InGaN层片；

在所述InGaN层片的背朝所述衬底的一侧表面上沉积形成所述p型金属氧化物层片。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于沉积形成所述p型金属氧化物层片的方式选自：热生长、溅镀和电沉积中的其中一种。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于所述p型金属氧化物层片为Cu2O层片；并且使用电沉积的方式沉积形成所述p型金属氧化物层片。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于使用InGaN工作电极，Ag/AgCl参比电极和Pt对电极在三电极电化学电池中进行电沉积；其中

所述InGaN工作电极处进行如下的电解反应，以形成Cu2O层片：

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于所述电解反应的电解质为Cu2SO4水溶液。