1.一种多电压域复位延迟电路，其特征在于，包括：偏置电路、第一开关控制电路、第二开关控制电路以及复位信号产生电路；

所述偏置电路包括：第一电流源、第一电流镜；

其中，第一电流源的一端接地，第一电流源的另一端接第一电流镜的输入端，第一电流镜的另一端接第一电源电压(VCC1)；

所述第一开关控制电路包括：第一MOS管(M1)、第一PMOS管(MP0)、第一NMOS管(MN0)以及第二电流镜；

其中，第一MOS管(M1)的漏极和第一电流镜的输出端、第一PMOS管(MP0)的栅极以及第一NMOS管(MN0)的栅极连接与结点(A)，第一MOS管(M1)的源极和第一NMOS管(MN0)的源极连接，第一NMOS管(MN0)的漏极和第一PMOS管(MP0)的漏极连接，第一PMOS管(MP0)的源极和第二电流镜的输入端连接，第二电流镜的另一端接第一电源电压(VCC1)；

所述第二开关控制电路包括：第三电流镜、第二PMOS管(MP1)、第三PMOS管(MP2)、第四PMOS管(MPK)、第四NMOS管(MN3)，所述第三电流镜包括：第二NMOS管(MN1)和第三NMOS管(MN2)；

其中，第二NMOS管(MN1)的漏极和第二电流镜的输出端、第二NMOS管(MN1)的栅极以及第三NMOS管(MN2)的栅极连接，第三NMOS管(MN2)的漏极和通过结点(C)和第四PMOS管(MPK)的栅极以及第二PMOS管(MP1)的漏极连接，第二PMOS管(MP1)的源极接第二电源电压(VCC2)，第二PMOS管(MP1)的栅极和第三PMOS管(MP2)的栅极以及第四NMOS管(MN3)的栅极连接，第三PMOS管(MP2)的源极接接第二电源电压(VCC2)，第三PMOS管(MP2)的漏极接第四PMOS管(MPK)的源极，第四PMOS管(MPK)的漏极和第四NMOS管(MN3)的漏极连接，第四NMOS管(MN3)的源极和复位信号产生电路的输入端以及第二电流源的一端连接，第二电流源的另一端接地；

所述复位信号产生电路，包括电容C1和驱动器；

其中，电容C1的一端和第四NMOS管(MN3)的源极以及通过结点(B)和驱动器的输入端连接，电容C1的另一端接地；

驱动器包括施密特触发器，用于当结点(B)的电位达到施密特触发器的翻转电压时，输出复位信号；

第一MOS管(M1)的源极和第一NMOS管(MN0)的源极接入预设第三电源电压(VCC3)。