1.一种低延迟LIN总线控制电路，其特征在于，包括电阻R1，电阻R1的一端分成三路，一路通过电容C2接地，电阻R1与电容C2组成低通滤波器，一路与NMOS管M2的栅端相连，另一路通过电容C3分别与电阻Rload、NMOS管M2的漏端相连；其中电容C3是弥勒电容；电阻Rload的另一端与LIN总线供电电压VSUP_LIN相连；NMOS管M2的漏端还通过LIN总线即LIN‑BUS线与电容Cload一端相连，电容Cload另一端接地，NMOS管M2的源端接地；电阻R1的另一端通过电压节点VG后分成两路，一路通过电容C1与开关S3的一端相连，另一路分别与开关S1、S2的一端相连；开关S3的另一端接地；开关S1的另一端与PMOS管M5的漏端相连，PMOS管M5的源端接VDD，PMOS管M5栅端分别与PMOS管M8、PMOS管M4的栅端相连；PMOS管M4的栅端还分别与PMOS管M3的栅端、漏端相连，PMOS管M4的漏端与NMOS管M6的漏端相连；PMOS管M3的漏端还通过基准电流接地；PMOS管M8的漏端分成两路，一路连接与电容C1和开关S3之间，另一路分别与NOMS管M9漏端、栅端相连；NMOS管M9的源端接地；PMOS管M3、M4、M8的源端分别与VDD相连；

开关S2的另一端与NMOS管M7的漏端相连，NMOS管M7的源端接地，NMOS管M7的栅端分别与NMOS管M6的漏端、栅端相连；NMOS管M6的源端接地。

2.根据权利要求1所述的一种低延迟LIN总线控制电路，其特征在于，所述PMOS管M3与PMOS管M4组成电流镜I，镜像比是1:1；PMOS管M3与PMOS管M5组成电流镜II，镜像比是1：M；

NMOS管M6与MNOS管M7组成电流镜III，镜像比是1：N。

3.根据权利要求2所述的一种低延迟LIN总线控制电路，其特征在于，所述镜像比1：N、镜像比1：M分别对应电压节点VG上升和下拉电流的不同，也反应了该点电压上升和下降的速率。

4.根据权利要求1所述的一种低延迟LIN总线控制电路，其特征在于，所述NMOS管M2是下拉管。

5.根据权利要求1所述的一种低延迟LIN总线控制电路的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：发送端TXD信号变化，包括LIN总线电压下降信号变化、LIN总线电压上升信号变化；

S2：电压节点VG电压提前变化，包括以下两种变化情况：

S2‑1：当LIN总线电压下降时，此时电压节点VG的电压上升较快，则开关S2、S3断开，开关S1闭合，电压节点VG由于电荷泵效应增加一个VGS9电压；

S2‑2：当LIN总线电压上升时，开关S2、S3闭合，开关S1断开；由于电容C1下极板电压下降至GND，由于电荷泵效应电压节点VG瞬间下降一个VGS9电压，代表了下拉管M2下拉电流能力瞬间减弱；

S3：LIN总线电压线性变化。

6.根据权利要求5所述的一种低延迟LIN总线控制电路的控制方法，其特征在于，所述步骤S2‑1中，电容C1下极板有电压，电压为NMOS管M9的VGS9电压，由于开关S1、S2、S3动作迅速，会使电容C1上极电压板迅速被抬升。

7.根据权利要求5所述的一种低延迟LIN总线控制电路的控制方法，其特征在于，执行步骤S2‑1之前，开关S3闭合，电容C1下极板电压为0。

8.根据权利要求5所述的一种低延迟LIN总线控制电路的控制方法，其特征在于，执行步骤S2‑2之前，开关S3断开，电容C1下极板存在非0电压。