1.一种大功率抗辐射晶体管芯片设计的方法，其特征在于，包括：网格化设计横向版图，并设置基区、发射区和键合区相关参数；其中，基区按照电子扩散浓度划分为深基区和淡基区；

根据芯片预设参数性能要求，设计纵向结构，得到集电结结深和发射结结深；

依次进行以下工艺制程：一次氧化、深基区光刻、深基区扩散、二次氧化、淡基区光刻、淡基区扩散、三次氧化、发射区光刻、发射区扩散、四次氧化、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻和合金工艺，最终得到具备预设抗辐射性能参数的大功率晶体管芯片；

‑2 2

在设计横向版图的过程中，淡基区面积不大于4.99×10 cm ，抗辐射晶体管的结电容不大于120pF；

‑2 2

发射区不大于3.58×10 cm ，最大电流为5A，最大频率为75MHz，发射区周长最小为

38208μm；

键合区中包括基区键合点和发射区键合点，基区键合点和发射区键合点均不小于‑3 2

3.882×10 cm；

线宽设计最大线宽2μm；

在设计纵向结构的过程中，外延片材料选择＜111＞为晶向，电阻率为0.001Ω·cm～

0.002Ω·cm的低阻硅单晶片作为衬底，生长有厚度45μm～51μm、电阻率ρ＝30Ω·cm～40Ω·cm外延层的硅晶片作为管芯制造的材料；

在设计纵向结构的过程中，集电结结深最大为10μm；发射结结深最大为2μm；

一次氧化温度1100℃～1180℃，氧气流量3～5L/min，氢气3‑5L/min，时间65～75min；

二次氧化温度1100℃～1150℃，氧气流量3～5L/min，氢气3～5L/min，时间280～

330min；

三次氧化温度1100℃～1150℃，氧气流量3～5L/min，氢气3～5L/min，时间250～

300min；

四次氧化温度950℃～1050℃，氧气流量9～10L/min，氢气5～6L/min，时间50～70min；

合金温度610℃～810℃，氧气流量3～4L/min，氮气流量3～3L/min，氢气3～3L/min，时间35～40min；

深基区光刻、淡基区光刻、发射区光刻、引线孔光刻和铝反刻匀胶转速均不小于3500转/min，曝光时间均不小于30s；

其中，深基区光刻用于制造浓基区窗口；淡基区光刻用于制造淡基区窗口；发射区光刻用于制造发射区窗口；引线孔光刻用于制造引出电极窗口；铝反刻用于制造金属电极形状；

深基区形成：深基区扩散温度950℃～1000℃，氮气流量8～12L/min，时间25～35min；

集电结形成：淡基区扩散温度940℃～950℃，氮气流量8～12L/min，时间15～25min；

发射结形成：发射区扩散温度920℃～950℃，氮气流量6～8L/min，时间15～25min；

金属电极形成：蒸铝真空度蒸发电压5～6KV，蒸发速率 蒸发厚度

2.一种芯片，其特征在于，采用如权利要求1所述的一种大功率抗辐射晶体管芯片设计的方法设计而成。