1.基于MZ干涉倾斜光纤光栅测量变压器中氢气的传感器，其特征在于：由宽带光源(1)，极化控制器(2)，第一单模光纤(3)，第一光纤错位熔接结构(4)，第二单模光纤(5)，倾斜光纤光栅(6)，金薄膜(7)，钯薄膜(8)，疏水疏油涂层(9)，第二光纤错位熔接结构(10)，第三单模光纤(11)，光纤光谱仪(12)组成；其中第二单模光纤(5)中间部分纤芯刻有倾斜光纤光栅(6)，倾斜光纤光栅(6)栅区包层表面镀有一层金薄膜(7)，金薄膜(7)表面再镀上一层钯薄膜(8)，整个传感结构都涂覆有疏水疏油涂层(9)；极化控制器(2)左端与宽带光源(1)连接，右端与第一单模光纤(3)左端连接，第一单模光纤(3)右端与第二单模光纤(5)左端纤芯错位3.5微米形成第一光纤错位熔接结构(4)，第二单模光纤(5)右端与第三单模光纤(11)左端纤芯错位3.5微米形成第二光纤错位熔接结构(10)，第三单模光纤(11)右端连接着光纤光谱仪(12)；第一光纤错位熔接结构(4)和第二光纤错位熔接结构(10)形成的马赫曾德尔干涉在光谱中形成干涉峰；

所述传感器在使用时，宽带光源(1)发出的入射光通过极化控制器(2)极化为P偏振光进入倾斜光纤光栅(6)时，绝大多数入射光被耦合为后向传输的包层模式，由于倾斜光纤光栅(6)包层表面镀有50nm厚的金薄膜(7)，符合相位匹配条件的包层模式λcl会在金薄膜(7)表面发生表面等离子共振，形成表面等离子体波；包层模式λcl能量转化为表面等离子体波，在透射谱上会形成透射峰；

所述相位匹配条件具体如下所示：

λcl＝[neff.co(λcl)+neff.cl(λcl)])*Λg (1)

其中，neff.co(λcl)为纤芯模式在波长为λcl下的有效折射率，neff.cl(λcl)为包层模式在波长为λcl下的有效折射率，Λg为倾斜光纤光栅(6)有效周期；

当镀在金薄膜(7)上的钯薄膜(8)吸收氢气时，其体积发生剧烈膨胀，导致电介质层折射率发生改变，进而符合相位匹配条件的包层模式λcl发生变化，通过测量透射谱中透射峰发生的波长漂移，可精确测量出氢气浓度；

入射光经过第一光纤错位熔接结构(4)时，部分光耦合进入包层，经过第二光纤错位熔接结构(10)时该部分光耦合进入纤芯，形成马赫增德尔干涉。

2.根据权利要求1所述的基于MZ干涉倾斜光纤光栅测量变压器中氢气的传感器，其特征在于：所述的倾斜光纤光栅(6)由单模光纤通过相位掩模法制作而成，长度为20mm，光栅周期为556.6nm。

3.根据权利要求1所述的基于MZ干涉倾斜光纤光栅测量变压器中氢气的传感器，其特征在于：所述的金薄膜(7)厚度为50nm，采用磁控溅射法镀在倾斜光纤光栅(6)栅区包层表面。

4.根据权利要求1所述的基于MZ干涉倾斜光纤光栅测量变压器中氢气的传感器，其特征在于：所述的钯薄膜(8)厚度为200um，采用磁控溅射法镀在金薄膜(7)表面。

5.根据权利要求1所述的基于MZ干涉倾斜光纤光栅测量变压器中氢气的传感器，其特征在于：所述的疏水疏油涂层(9)为氨基丙烯酸树脂、SiO2纳米粒子和氟硅烷复合制成的纳米材料，直接涂覆在传感结构上，避免绝缘油对传感器造成污染。