1.一种金纳米块阵列的制备方法，先使用溶液法合成金纳米块，将负载了聚电解质层的金薄膜浸入含有所述金纳米块的去离子水溶液中；去离子水溶液中的金纳米块通过静电场引力吸附于所述聚电解质层表面，从而得到金纳米块阵列。

2.根据权利要求1所述的一种金纳米块阵列的制备方法，其特征在于：所述金纳米块的几何形貌为立方块，其与聚电解质层为面接触。

3.根据权利要求1所述的一种金纳米块阵列的制备方法，其特征在于：所述溶液法合成金纳米块的步骤为：先用溶液法合成金纳米棒，对所得金纳米棒进行迭代化学精化处理后，最终得到边长为50～150nm的金纳米块；金纳米块从反应液中离心出来后，分散于去离子水中以备用。

4.根据权利要求3所述的一种金纳米块阵列的制备方法，其特征在于：所述溶液法合成金纳米棒的步骤为：将氯金酸加入溴化十六烷基三甲铵中，再加入硼氢化钠摇均后在静置，得到种子溶液；在溴化十六烷基三甲铵中加入氯金酸、硝酸银和L-抗坏血酸，摇晃至澄清后加入所得的种子溶液；对反应液离心可得到金纳米棒粉末。

5.根据权利要求1～4之一所述的一种金纳米块阵列的制备方法，其特征在于：所述金薄膜表面通过逐层自组装工艺得到厚度为2～40nm的聚电解质层，该电解质层最外层带负电。

6.根据权利要求1～4之一所述的一种金纳米块阵列的制备方法，其特征在于：所述的金薄膜由蒸镀工艺在硅片或玻璃衬底上沉积而得到。

7.一种折射率传感器，包括上述方法得到的金纳米块阵列、带有凹槽的传感器壳体、

500～1500nm波段高透的薄膜，所述金纳米块阵列安装于传感器壳体的凹槽中，所述薄膜覆盖在凹槽的槽口。