1.一种CoFe2-xGdxO4铁磁性薄膜，其特征在于，其化学式为CoFe2-xGdxO4，其中，x＝0.02～

0.18，其为立方反尖晶石结构，空间群为Fd3m；CoFe2-xGdxO4铁磁性薄膜沿(311)晶面方向取向生长。

2.根据权利要求1所述CoFe2-xGdxO4铁磁性薄膜，其特征在于，当x＝0.02时，其剩余磁化强度Mr＝125.5emu/cm3，饱和磁化强度Ms＝192.8emu/cm3，矩形比R＝0.65。

3.一种权利要求1-2任一项所述的CoFe2-xGdxO4铁磁性薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，按摩尔比为1:(2-x):x将硝酸钴、硝酸铁和硝酸钆溶于乙二醇甲醚中，搅拌均匀后加入醋酸酐，继续搅拌均匀，得到铁磁性薄膜的前驱液；

步骤2，将前驱液旋涂在FTO/glass基片上，得到湿膜，湿膜经匀胶后在170～190℃下烘烤得干膜，再于620～640℃下在空气中退火，得到晶态CoFe2-xGdxO4薄膜；

步骤3，将晶态CoFe2-xGdxO4薄膜冷却至室温，重复步骤2直到达到预设的厚度，即得到CoFe2-xGdxO4铁磁性薄膜。

4.根据权利要求3所述的CoFe2-xGdxO4铁磁性薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中，前驱液中金属离子的总浓度为0.20～0.40mol/L。

5.根据权利要求3所述的CoFe2-xGdxO4铁磁性薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中，前驱液中乙二醇甲醚和醋酸酐的体积比为(2.5～3.5):1。

6.根据权利要求3所述的CoFe2-xGdxO4铁磁性薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2进行前先将FTO/glass基片清洗干净，然后在紫外光下照射，使FTO/glass基片表面达到原子清洁度。

7.根据权利要求3所述的CoFe2-xGdxO4铁磁性薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2中匀胶时的匀胶转速为3500～4000r/min，匀胶时间为19～25s。

8.根据权利要求3所述的CoFe2-xGdxO4铁磁性薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2中匀胶后的烘烤时间为12～16min。

9.根据权利要求3所述的CoFe2-xGdxO4铁磁性薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2中的退火时间为35～55min。